[发明专利]一种电压选择电路、方法及存储芯片

权利要求书

1.一种电压选择电路，其特征在于，用于存储芯片，所述电压选择电路包括：

第一开关电路，所述第一开关电路的控制端用于与核心电压端口电连接，所述第一开关电路的输入端与外部端口电连接，所述第一开关电路的输出端与存储电压端口电连接；

第二开关电路，所述第二开关电路的控制端用于与所述外部端口电连接，所述第二开关电路的输入端用于与所述核心电压端口电连接，所述第二开关电路的输出端与所述存储电压端口电连接；

当所述存储芯片处于烧写模式下，所述第一开关电路处于导通状态，所述第二开关电路处于关断状态，所述存储电压端口的电压与所述外部端口的电压相同；

当所述存储芯片处在非烧写模式下，所述第一开关电路处于关断状态，所述第二开关电路处于导通状态，所述存储电压端口的电压与所述核心电压端口的电压相同。

2.根据权利要求1所述的电压选择电路，其特征在于，当所述存储芯片处于烧写模式下，所述外部端口的电压为0；当所述存储芯片处在非烧写模式下，所述外部端口的电压大于所述核心电压端口的电压。

3.根据权利要求2所述的电压选择电路，其特征在于，当所述存储芯片处于烧写模式下，所述外部端口的电压的最大值为所述核心电压端口的电压的最大值的2倍。

4.根据权利要求1～3任一项所述的电压选择电路，其特征在于，所述第一开关电路的输出端与控制端的电压差小于或等于所述核心电压端口的电压的最大值。

5.根据权利要求1～3任一项所述的电压选择电路，其特征在于，所述第一开关电路与所述第二开关电路均为PMOS晶体管。

6.根据权利要求1～3任一项所述的电压选择电路，其特征在于，所述电压选择电路还包括下拉电路，所述下拉电路与所述第一开关电路的输入端电连接，所述下拉电路用于在非烧写模式下，消除所述第二开关电路的控制端的电荷积累。

7.根据权利要求1～3任一项所述的电压选择电路，其特征在于，所述电压选择电路还包括ESD保护电路，用于保护所述第一开关电路、所述第二开关电路及外部端口。

8.根据权利要求5所述的电压选择电路，其特征在于，所述ESD保护电路包括：串接在所述第一开关电路的输入端与所述第二开关电路的控制端的第一电阻、串接在所述第二开关电路的输入端与所述第一开关电路的控制端的第二电阻、及电连接于所述第一开关电路的输入端的二极管。

9.一种存储芯片，其特征在于，包括权利要求1～8任一项所述的电压选择电路。

10.一种电压选择方法，其特征在于，应用具有第一开关电路和第二开关电路的电压选择电路；所述电压选择方法包括：

在烧写模式下，根据外部端口的电压控制所述第一开关电路处于导通状态，根据核心电压端口的电压控制所述第二开关电路处于关断状态，选择所述外部端口的电压为存储电压端口的电压；

在非烧写模式下，根据外部端口的电压控制所述第一开关电路处于关断状态，根据核心电压端口的电压控制所述第二开关电路处于导通状态，选择所述核心电压端口的电压为所述存储电压端口的电压。