[发明专利]存储器单元以及形成存储器单元的方法

说明书

本发明实施例涉及存储器单元以及形成存储器单元的方法。本发明的一些实施例揭示一种存储器单元，其包含：第一晶体管，其具有耦合到位线的第一扩散区及耦合到第一字线的第一栅极电极；第二晶体管，其具有耦合到所述位线的第二扩散区及耦合到第二字线的第二栅极电极；及第三晶体管，其具有耦合到所述第一晶体管的第四扩散区的第三扩散区、耦合到所述第二晶体管的第六扩散区的第五扩散区及耦合到第三字线的第三栅极电极；其中所述第一晶体管经布置以具有第一阈值电压，所述第二晶体管经布置以具有第二阈值电压，且所述第二阈值电压不同于所述第一阈值电压。

技术领域

本发明实施例涉及存储器单元以及形成存储器单元的方法。

背景技术

非易失性半导体存储器装置通常经设计以即使在存储器装置断电时仍存储数据。一种类型的非易失性半导体存储器装置是一次性可编程存储器装置。当前方法通常使用多晶硅熔丝或金属熔丝以形成一次性可编程存储器单元。然而，在许多情境中，多晶硅熔丝及金属熔丝两者需要大程序电流以产生高编程后电阻。因此，存储器单元是大的，这是因为其包含用于处置大编程电流的大晶体管或装置。

发明内容

本发明的实施例涉及一种存储器单元，其包括：第一晶体管，其具有耦合到位线的第一扩散区及耦合到第一字线的第一栅极电极；第二晶体管，其具有耦合到所述位线的第二扩散区及耦合到第二字线的第二栅极电极；及第三晶体管，其具有耦合到所述第一晶体管的第四扩散区的第三扩散区、耦合到所述第二晶体管的第六扩散区的第五扩散区及耦合到第三字线的第三栅极电极；其中所述第一晶体管经布置以具有第一阈值电压，所述第二晶体管经布置以具有第二阈值电压，且所述第二阈值电压不同于所述第一阈值电压。

本发明的实施例涉及一种存储器单元的布局，其包括：半导体衬底；有源区，其放置于所述半导体衬底上；第一导电线，其放置于所述有源区的第一部分上方以形成第一晶体管；第二导电线，其放置于所述有源区的第二部分上方以形成第二晶体管；及第三导电线，其放置于所述有源区的第三部分上方以形成第三晶体管；其中所述第二晶体管的阈值电压不同于所述第一晶体管的所述阈值电压。

本发明的实施例涉及一种形成存储器单元的方法，其包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的有源区的第一部分上形成具有第一阈值电压的第一晶体管；在所述有源区的第二部分上形成具有第二阈值电压的第二晶体管，其中所述第二阈值电压不同于所述第一阈值电压；在所述有源区的第三部分上形成第三晶体管；将所述第一晶体管的第一扩散区及所述第二晶体管的第一扩散区耦合到所述存储器单元的位线；及将所述第一晶体管的第一栅极电极、所述第二晶体管的第二栅极电极及所述第三晶体管的第三栅极电极分别耦合到所述存储器单元的第一字线、第二字线及第三字线；其中所述第一晶体管的第二扩散区耦合到所述第三晶体管的第一扩散区，且所述第二晶体管的第二扩散区耦合到所述第三晶体管的第二扩散区。

附图说明

当结合附图阅读时从以下详细描述最好理解本揭示的方面。应注意，根据业界中的标准实践，各种构件未按比例绘制。事实上，为了清楚论述起见，可任意增大或减小各种构件的尺寸。

图1是说明根据一些实施例的用于形成存储器装置的方法的流程图。

图2是说明根据一些实施例的存储器装置的布局的图式。

图3A是说明根据一些实施例的在制造工艺之后的存储器单元300的剖面图。

图3B是说明根据一些实施例的存储器单元的示意图。

图4是说明根据一些实施例的在编程过程期间的存储器单元的剖面图。

图5A是说明根据一些实施例的在编程过程之后的存储器单元的剖面图。

图5B是说明根据一些实施例的存储器单元的简化电路的示意图。

图6是说明存储器单元的对应物的图式。

图7是根据实施例的集成电路设计及建模系统的功能框图。