[发明专利]基板处理设备

权利要求书

1.一种用于处理基板的设备，该设备包括：

工艺处理单元，用于提供在其中执行基板处理的处理空间；和

等离子体产生单元，用于产生等离子体，其中，所述等离子体产生单元包括：

等离子体室，具有等离子体产生空间；

气体供应单元，用于将处理气体供应到所述等离子体产生空间；

功率施加单元，通过使所述处理气体离开所述等离子体产生空间而产生等离子体；

扩散室，布置在所述等离子体室的下方，并具有扩散空间，该扩散空间用于使在所述等离子体产生空间中产生的等离子体和/或供应至所述等离子体产生空间的处理气体扩散，以将其均匀地输送至所述处理空间，

其中，在所述扩散空间中布置有具有至少一个穿孔的扩散板。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，当从上方观察所述扩散板时，所述扩散板的中心区域被设置为阻挡板，并且所述至少一个穿孔形成在所述扩散板的边缘区域上。

3.根据权利要求2所述的设备，其中，当从上方观察时，所述至少一个穿孔向下朝外倾斜，使得流过所述穿孔的处理气体和/或等离子体从所述中心区域流向所述边缘区域。

4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述扩散室包括：

连接部，连接至所述等离子体室的下端；

扩散部，从所述连接部延伸并且随着向下延伸而具有更大的直径，其中所述扩散板被布置在所述扩散部处。

5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述连接部的直径小于所述扩散部的直径，并且所述连接部具有与所述等离子体室相同的直径。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的设备，其中，所述扩散板由包括石英、陶瓷和铝中的至少一种的材料制成。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的设备，其中，当从上方观察时，所述至少一个穿孔具有圆形或狭缝形状。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的设备，其中，所述工艺处理单元包括：具有所述处理空间的壳体；以及布置在所述扩散空间和所述处理空间之间的挡板。

9.根据权利要求8所述的设备，其中，当从横截面观察时，所述挡板在所述中心区域处的厚度比在所述边缘区域处的厚度更厚。

10.根据权利要求1至5中任一项所述的设备，其中，所述扩散室设有包括石英的材料。