[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构包括：衬底；第一晶体管，第一晶体管位于衬底上；第二晶体管，第二晶体管位于第一晶体管的上方；栅极结构，栅极结构包括相连接的第一栅极层和第二栅极层，第一栅极层环绕第一晶体管设置，第二栅极层环绕第二晶体管设置；其中，第一晶体管的延伸方向和第二晶体管的延伸方向均垂直于衬底。第一晶体管和第二晶体管在竖直方向堆叠，增加了半导体结构的导电通道长度，同时减小了半导体结构的占用面积，以此改善半导体结构的性能。

技术领域

本发明涉及性能测试技术领域，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的制作方法。

背景技术

相关技术中的半导体结构，其NFET和PFET均采用水平放置的环绕式栅极晶体管，由于水平设置的导电沟道在水平方向上占用很长的面积，限制了半导体结构的发展。

发明内容

本发明提供一种半导体结构及半导体结构的制作方法，以改善半导体结构的性能。

根据本发明的第一个方面，提供了一种半导体结构，包括：

衬底；

第一晶体管，第一晶体管位于衬底上；

第二晶体管，第二晶体管位于第一晶体管的上方；

栅极结构，栅极结构包括相连接的第一栅极层和第二栅极层，第一栅极层环绕第一晶体管设置，第二栅极层环绕第二晶体管设置；

其中，第一晶体管的延伸方向和第二晶体管的延伸方向均垂直于衬底。

在本发明的一个实施例中，第一晶体管和第二晶体管在衬底上的投影至少部分相重合。

在本发明的一个实施例中，半导体结构还包括：

导电连接层，导电连接层位于第一晶体管和第二晶体管之间，以连接第一晶体管和第二晶体管。

在本发明的一个实施例中，第一晶体管和第二晶体管在衬底上的投影均不相重合；

其中，第一晶体管和第二晶体管电连接。

在本发明的一个实施例中，半导体结构还包括：

第一导电层，第一导电层位于第一晶体管和第二晶体管之间；

其中，第一导电层的延伸方向所在平面平行于衬底。

在本发明的一个实施例中，第一晶体管的顶端位于第一导电层内，第二晶体管的底端位于第一导电层内。

在本发明的一个实施例中，半导体结构还包括：

第二导电层，第二导电层位于衬底内，且与第一晶体管相连接；

其中，第二导电层的延伸方向所在平面平行于衬底。

在本发明的一个实施例中，第一导电层和第二导电层在衬底上的投影至少部分不相重合。

在本发明的一个实施例中，第一导电层沿第一直线方向延伸，第二导电层沿第二直线方向延伸。

在本发明的一个实施例中，第一导电层包括第一段体、第二段体以及第三段体，第三段体的两端分别连接第一段体和第二段体，以使第一导电层内侧形成有第一空间；

第二导电层包括第四段体、第五段体以及第六段体，第六段体的两端分别连接第四段体和第五段体，以使第二导电层内侧形成有第二空间。

在本发明的一个实施例中，第三段体沿第一曲线方向延伸，第六段体沿第二曲线方向延伸。

在本发明的一个实施例中，第一晶体管为PFET，第二晶体管为NFET；