[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110334754.0 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113451136A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 沈书文;林宥霆;郭俊铭;彭远清;李益诚;梁品筑;郑培仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括:
在一基底上形成一第一鳍状结构和一第二鳍状结构，该第一鳍状结构和该第二鳍状结构各包括交错的多个通道层和多个牺牲层；
在该第一鳍状结构和该第二鳍状结构上方外延沉积一第一硅衬垫；
在该基底、该第一鳍状结构和该第二鳍状结构上方沉积一介电层；
回蚀刻该介电层，以在该第一鳍状结构与该第二鳍状结构之间形成一隔离部件，使得该第一鳍状结构的顶部和该第二鳍状结构的顶部延伸至该隔离部件之上，其中回蚀刻移除了在该第一鳍状结构的顶部和该第二鳍状结构的顶部上的该第一硅衬垫，以暴露出该多个通道层和该多个牺牲层的侧壁；以及
在该多个通道层和该多个牺牲层暴露的侧壁上外延沉积一第二硅衬垫。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
