[发明专利]陶瓷真空镀膜工艺方法

权利要求书

1.一种陶瓷真空镀膜工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1：将陶瓷基材放入镀膜机的真空室内，并对所述真空室内抽真空；

步骤S2：向所述真空室内充入惰性气体；

步骤S3：开启偏压电源，调节所述偏压电源的参数；开启挂有所述陶瓷基材的转架；

步骤S4：对所述陶瓷基材镀膜，包括如下步骤：

步骤S4.1：对所述陶瓷基材加热放气；对所述真空室加热，以使所述真空室内的温度为260-300℃之间；

对所述真空室抽真空，以使所述真空室内的气压达到3×10^-3-6×10^-3Pa ；

步骤S4.2：对所述真空室内充入惰性气体，以使所述真空室内的气压在0.2-0.3Pa 之间；开启第一预设金属靶，以对所述陶瓷基材刻蚀；

步骤S4.3：关闭所述第一预设金属靶；开启第二预设金属靶，以对所述陶瓷基材打底；

步骤S4.4：关闭所述第一预设金属靶和所述第二预设金属靶；开启第三预设金属靶，以对所述陶瓷基材镀膜；

步骤S5：降低所述真空室内的温度，产品出炉。

2.根据权利要求1所述的陶瓷真空镀膜工艺方法，其特征在于，步骤S4.2还包括：

调节所述偏压电源的电压为400-600V之间，所述偏压电源的占空比为50％-70％之间；

所述第一预设金属靶的靶电流设置在60-90A之间。

3.根据权利要求1所述的陶瓷真空镀膜工艺方法，其特征在于，步骤S4.3还包括：

调节所述偏压电源的电压为50-100V之间，所述偏压电源的占空比为40％-80％之间；

所述第二预设金属靶的靶电流设置在60-90A之间，且通入所述第二预设金属靶的靶电流时间持续1-3分钟。

4.根据权利要求1所述的陶瓷真空镀膜工艺方法，其特征在于，在步骤S4.4中，在开启第三预设金属靶之前，还包括：

对所述真空室内充入惰性气体，以使所述真空室内的气压达到0.5-3Pa 。

5.根据权利要求4所述的陶瓷真空镀膜工艺方法，其特征在于，步骤S4.4还包括：

调节所述偏压电源的电压为50-150V之间，所述偏压电源的占空比为40％-80％之间；

所述第三预设金属靶的靶电流设置在70-120A之间，且通入所述第三预设金属靶的靶电流时间持续100-200分钟。

6.根据权利要求1所述的陶瓷真空镀膜工艺方法，其特征在于，步骤S1包括：

对所述真空室第一次抽真空，以使所述真空室内的气压达到500Pa ；

对所述真空室第二次抽真空，以使所述真空室内的气压达到5Pa ；

对所述真空室第三次抽真空，以使所述真空室内的气压达到4×10^-3Pa 。

7.根据权利要求1所述的陶瓷真空镀膜工艺方法，其特征在于，在步骤S2中，向所述真空室内充入惰性气体以使所述真空室内的气压为0.2-0.3Pa 之间。

8.根据权利要求1所述的陶瓷真空镀膜工艺方法，其特征在于，在步骤S3中，所述偏压电源的参数包括：所述偏压电源的电压为40-100V之间，所述偏压电源的占空比30％-70％之间；

所述转架的转动频率为10-20Hz。