[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底以及位于所述基底上的第一导电通道，在垂直于所述基底表面的方向上，所述第一导电通道包括第一沟道区以及位于所述第一沟道区相对的两端的第一掺杂区和第二掺杂区；

第一电连接结构，位于所述基底内，并与所述第一掺杂区相接触；

第二电连接结构，与所述第二掺杂区相接触，且所述第二电连接结构所在平面与所述第一电连接结构所在平面平行；

第二导电通道，在垂直于所述基底表面的方向上，所述第二导电通道包括第二沟道区以及位于所述第二沟道区相对的两端的第三掺杂区和第四掺杂区，且所述第三掺杂区与所述第二电连接结构远离所述基底的一侧相接触，所述第二导电通道在所述基底上的正投影与所述第一导电通道在所述基底上的正投影至少存在部分不重叠的区域，所述第一导电通道和所述第二导电通道的其中一者为N型导电通道，另一者为P型导电通道；

栅极结构，环绕所述第一沟道区和所述第二沟道区。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底上具有至少两个相互间隔的所述第一导电通道，以及与所述第一导电通道一一对应的所述第二导电通道，所述第一电连接结构与每一所述第一掺杂区相接触，所述第二电连接结构与每一所述第二掺杂区和每一所述第三掺杂区相接触。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在沿所述第一掺杂区指向所述第二掺杂区的方向上，所述第一导电通道的顶部表面高度高于所述第二电连接结构的底部表面高度，且低于所述第二电连接结构的顶部表面高度；所述第二导电通道的底部表面高度高于所述第二电连接结构的底部表面高度，且低于所述第二电连接结构的顶部表面高度。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在沿所述第一掺杂区指向所述第二掺杂区的方向上，所述基底包括：依次堆叠的衬底和第一隔离层，所述衬底包括所述第一电连接结构；且所述第一隔离层位于所述第一电连接结构顶部表面，所述第一导电通道贯穿所述第一隔离层，以使所述第一掺杂区与所述第一电连接结构相接触。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在沿所述第一掺杂区指向所述第二掺杂区的方向上，所述基底包括依次堆叠的衬底、第一隔离层和所述第一电连接结构，所述第一导电通道贯穿至少部分所述第一电连接结构。

6.根据权利要求4或5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电连接结构为第一导电层，所述第一导电层为整面连续膜层，且所述第一导电层与每一所述第一掺杂区相接触。

7.根据权利要求4或5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电连接结构包括沿第一方向延伸的第一导线层，所述第一导线层与沿所述第一方向设置的每一所述第一掺杂区相接触。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电连接结构包括至少两个相互间隔的所述第一导线层。

9.根据权利要求4或5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电连接结构为第二导电层，所述第二导电层为整面连续膜层，且所述第二导电层与每一所述第二掺杂区和每一所述第三掺杂区相接触；所述第二导电层中具有贯穿所述第二导电层的第一连通孔，所述栅极结构还填充满所述第一连通孔。

10.根据权利要求4或5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电连接结构包括沿第二方向延伸的第二导线层，所述第二导线层与沿所述第二方向设置的每一所述第二掺杂区和每一所述第三掺杂区相接触。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电连接结构包括至少两个相互间隔的所述第二导线层。

12.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第二隔离层，环绕所述第二掺杂区；在沿所述第一掺杂区指向所述第二掺杂区的方向上，所述第一导电通道的顶部表面高于所述第二隔离层的底部表面。