[发明专利]一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

提供P型衬底(11)，通过N型离子注入和推阱，在所述P型衬底(11)上形成BNW区(1)；

通过N型离子注入，在所述BNW区(1)的底部形成一定厚度的DNW区(2)；

在所述BNW区(1)上端面的边缘和内部分别形成一个闭环的场区隔离(3)；

通过N型离子多次分步注入，在所述BNW区(1)上形成闭环的深磷区(4)，所述深磷区(4)与所述DNW区(2)连通，所述深磷区(4)位于两个所述场区隔离(3)之间；

通过P型离子注入，在所述BNW区(1)上形成基区(5)，所述基区(5)位于所述深磷区(4)内部；

在所述基区(5)的上端面形成闭环的多晶隔离(6)；

在所述多晶隔离(6)的两侧壁形成侧墙(7)；

通过N型离子注入，在所述基区(5)上形成发射区(8)，在所述BNW区(1)上形成闭环的集电区(9)，所述发射区(8)位于所述多晶隔离(6)内，所述集电区(9)位于两个所述场区隔离(3)之间，且所述集电区(9)与所述深磷区(4)交叠；

通过P型离子注入，在所述基区(5)上形成闭环的基区接触区(10)，所述基区接触区(10)位于所述多晶隔离(6)外部；

通过温度为1000℃～1100℃、时间为10s～30s的高温快速退火，完成注入掺杂的激活。

2.根据权利要求1所述的一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管的制备方法，其特征在于，通过N型离子注入，在所述BNW区(1)的底部形成所述DNW区(2)，具体为：注入元素为P，注入能量为2～4MeV，注入剂量为1～2×10¹³cm^-2。

3.根据权利要求1所述的一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管的制备方法，其特征在于，通过氮化硅/氧化硅淀积、氮化硅/氧化硅光刻和刻蚀、氧化以及氮化硅/氧化硅剥离，形成所述场区隔离(3)。

4.根据权利要求1所述的一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管的制备方法，其特征在于，通过N型离子多次分步注入，在所述BNW区(1)上形成所述深磷区(4)，具体为如下五步：

第一步，注入元素为P，注入能量为2～2.5MeV，注入剂量为1～2×10¹⁵cm^-2；第二步，注入元素为P，注入能量为1.5MeV，注入剂量为1～2×10¹⁵cm^-2；第三步，注入元素为P，注入能量为1MeV，注入剂量为1～2×10¹⁵cm^-2；第四步，注入元素为P，注入能量为500keV，注入剂量为1～2×10¹⁵cm^-2；第五步，注入元素为P，注入能量为100keV，注入剂量为1～2×10¹⁵cm^-2。

5.根据权利要求1所述的一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管的制备方法，其特征在于，通过多晶淀积、多晶光刻和刻蚀，形成所述多晶隔离(6)。

6.根据权利要求1所述的一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管的制备方法，其特征在于，通过侧墙淀积和刻蚀，形成所述侧墙(7)。