[发明专利]半导体结构及半导体结构制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底、位线结构以及电容连接线；所述位线结构设置在所述基底上，所述位线结构在所述基底的顶面延伸；所述位线结构为多个，多个所述位线结构在所述基底的顶面上平行且间隔的设置，相邻的所述位线结构之间形成有接触孔；

所述电容连接线包括第一导电块和第二导电块，所述第一导电块和所述第二导电块依次填充在所述接触孔内，所述第一导电块的顶端设置有倒角结构，所述倒角结构与所述位线结构邻接，所述第二导电块的底端与所述倒角结构配合；

所述倒角结构为倒圆角；

所述倒角结构还具有过渡壁，所述过渡壁位于所述倒圆角的顶端，所述过渡壁与所述位线结构邻接，所述倒角结构与所述第一导电块为一体结构。

2.根据权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述过渡壁顶端与所述第一导电块的顶端之间的距离为相邻位线结构之间距离的1/3-1/2。

3.根据权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述过渡壁、所述倒角结构以及所述第一导电块的顶端内均掺杂有掺杂粒子，以形成与所述第二导电块接触的接触层。

4.根据权利要求3所述半导体结构，其特征在于，所述掺杂粒子包括磷离子或者砷离子。

5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电块包括导电辅助层和导电插塞，所述导电辅助层覆盖所述第一导电块的顶端、所述倒角结构的顶端以及所述接触孔的侧壁，导电插塞形成在所述导电辅助层上且填充所述接触孔。

6.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述位线结构包括位线、绝缘块和绝缘侧壁，所述位线设置在所述基底的顶面上，所述位线在所述基底的顶面上延伸；所述绝缘块覆盖所述位线的顶端；所述绝缘侧壁覆盖所述位线的侧面，相邻的所述绝缘侧壁形成所述接触孔。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述位线顶端与所述基底的顶面之间的距离小于所述第一导电块的顶端与所述基底的顶面之间的距离。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘侧壁内具有间隙，所述间隙内填充有绝缘填充物，所述绝缘填充物的材质与所述绝缘侧壁的材质不同。

9.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括绝缘结构，所述绝缘结构形成于所述基底的顶面上，所述绝缘结构填充于相邻的所述位线结构之间，所述绝缘结构与所述位线结构围设成显露所述基底的所述接触孔。

10.一种半导体结构制作方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成位线结构，所述位线结构在所述基底的顶面上延伸，所述位线结构为多个，多个所述位线结构在所述基底的顶面上平行且间隔的设置，相邻的所述位线结构之间形成接触孔；

在所述接触孔内形成第一导电块，所述第一导电块的顶端形成倒角结构，所述倒角结构为倒圆角，所述倒角结构还具有过渡壁 ，所述过渡壁 位于所述倒圆角的顶端，所述过渡壁 与所述位线结构邻接，所述倒角结构与所述位线结构邻接，所述倒角结构与所述第一导电块为一体结构；

在所述接触孔内形成第二导电块，所述第二导电块位于所述第一导电块的顶端，所述第二导电块的底端与所述倒角结构配合。