[发明专利]光致抗蚀剂层表面处理、盖层和形成光致抗蚀剂图案的方法在审
申请号: | 202110337729.8 | 申请日: | 2021-03-30 |
公开(公告)号: | CN113156770A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 郭怡辰;刘之诚;翁明晖;魏嘉林;陈彦儒;李志鸿;郑雅如;杨棋铭;李资良;张庆裕 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/16 | 分类号: | G03F7/16 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 赵艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光致抗蚀剂层 表面 处理 盖层 形成 光致抗蚀剂 图案 方法 | ||
1.一种在光致抗蚀剂层中形成图案的方法,所述方法包括:
在基板上方形成光致抗蚀剂层;
降低所述光致抗蚀剂层的湿气或氧气吸收特性;
将所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案;以及
通过将显影剂施加至所述经选择性暴露的光致抗蚀剂层使所述潜在图案显影以形成图案。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述光致抗蚀剂层包含含金属的光致抗蚀剂组合物。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述降低所述光致抗蚀剂层的湿气或氧气吸收特性包括在所述光致抗蚀剂层上方形成盖层,其中所述盖层由氧化硅、氮化硅、碳化硅、SiOC、SiON或它们的多层组合制成。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述盖层为单层。
5.根据权利要求3所述的方法,其中所述盖层是通过化学气相沉积或原子层沉积形成的。
6.根据权利要求2所述的方法,其中所述降低所述光致抗蚀剂层的湿气或氧气吸收特性包括对所述光致抗蚀剂层的表面执行表面处理。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述表面处理包括使所述光致抗蚀剂层中的配体的端基与氨、硅烷、烷基卤化物、卤化硅、氨基烷基或羧基烷基反应。
8.根据权利要求6所述的方法,其中所述表面处理包括用非极性有机基团替换所述光致抗蚀剂层中的配体的端基。
9.根据权利要求6所述的方法,其中所述表面处理包括将所述光致抗蚀剂层的所述表面从亲水表面改变为疏水表面。
10.根据权利要求6所述的方法,其中所述表面处理包括将所述光致抗蚀剂层中的配体上的亲水端基转化为疏水端基。
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