[发明专利]提高碳化硅横向双扩散场效应管表面迁移率方法及器件

权利要求书

1.一种用于提高碳化硅横向双扩散场效应管表面迁移率方法的器件，所述方法引入了一个电压偏置管，在碳化硅LDMOS管正向导通时，电压偏置管漂移区的高电压可以通过金属传输到碳化硅LDMOS管漂移区表面上方的多个多晶硅场板上，多晶硅场板上的高电压有吸引电子的作用，使得LDMOS管漂移区表面电子集聚，电子浓度提高，单个电子被漂移区上方氧化层表面陷阱俘获的概率降低，电子迁移率提高，所述器件包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有N型漂移区(2)，在N型漂移区(2)内设有P型隔离层(3)并由所述P型隔离层(3)分割成第一N型漂移区(2a)和第二N型漂移区(2b)，在第一N型漂移区(2a)上分别设有第一P型基区(4)和第一N型缓冲层(7)，在第一P型基区(4)内设有相连的P+源区(5)和N+源区(6)，在第一N型缓冲层(7)内设有N+漏区(8)，在第一N型漂移区(2a)的上方设有栅氧化层(22)，栅氧化层(22)的一端延伸进入第一P型基区(4)的上方并止于N+源区(6)边界，在栅氧化层(22)上设有多晶硅栅(17)，其特征在于，在所述栅氧化层(22)上设有与所述多晶硅栅(17)相分离的多晶硅场板且所述多晶硅场板位于所述多晶硅栅(17)与所述第一N型缓冲层(7)之间；在所述第二N型漂移区(2b)上分别设有第二P型基区(9)和第二N型缓冲层(10)，在第二P型基区(9)内设有P源(11)，在第二N型缓冲层(10)内设有P漏(12)，在第二N型漂移区(2b)内设有N+注入层且所述N+注入层位于第二P型基区(9)与第二N型缓冲层(10)之间；所述P源(11)与所述多晶硅栅(17)电连接，所述N+注入层与所述多晶硅场板电连接，所述P漏(12)与所述N+漏区(8)电连接。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，在所述栅氧化层(22)上设置4块相互分离的多晶硅场板且分别为第一多晶硅场板(18)、第二多晶硅场板(19)、第三多晶硅场板(20)以及第四多晶硅场板(21)；在第二N型漂移区(2b)内设有4个N+注入层且分别为第一N+注入层(13)、第二N+注入层(14)、第三N+注入层(15)和第四N+注入层(16)；所述第一多晶硅场板(18)、第二多晶硅场板(19)、第三多晶硅场板(20)以及第四多晶硅场板(21)分别与第一N+注入层(13)、第二N+注入层(14)、第三N+注入层(15)和第四N+注入层(16)电连接。

3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，相邻多晶硅场板之间的间距相等，相邻N+注入层之间的间距相等。

4.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，N+注入层的掺杂浓度为1.0×10¹⁹/cm³～5.0×10¹⁹/cm³。

5.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，第一N型漂移区(2a)的宽度W1和第二N型漂移区(2b)的宽度W2之比为10∶1。

6.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述P型隔离层(3)的宽度为2μm。

7.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，多晶硅场板的长度均为1μm。