[发明专利]一种利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺

说明书

本发明公开一种利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺，包括以下步骤：S1、完成晶圆正面制程；S2、将晶圆正面暂时键合玻璃载板；S3、通过研磨蚀刻的方式对晶圆背面减薄，然后完成晶圆背面制程；S4、将晶圆背面键合超薄玻璃载板；S5、解键合除去晶圆正面的玻璃载板，清洗除去黏着层，然后完成对晶圆切割。本发明采用两次键合及解键合的技术晶圆超薄晶圆加工，第二次键合用强化过的超薄玻璃载板取代传统的切割模框以确保晶粒可在有强度及柔性的玻璃载板上进行封装的加工制程，可确保超薄晶圆或晶粒不会产生碎裂的现象。

技术领域

本发明涉及晶圆加工领域，具体的是一种利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺。

背景技术

晶圆指制造半导体晶体管或集成电路的衬底(也叫基片)，在日常生活中，半导体技术的进步，很大一部分体现在特征尺寸的减少上，随着特征尺寸的缩小，单位面积上晶体管电路的数量倍增，功能随之越显强大。然而在集成密度大幅提高的同时，热源开始在芯片上形成了集中的现象，如何降低器件热阻，做好器件的散热和冷却，成为了一个关键的问题。实际上，解决元件散热方法之一就是研磨减薄。

晶圆上的器件以及连接电路的这一有效区域的厚度一般为5至10μm，为了保证其功能，都需要有一定的支撑厚度，这个支撑厚度有一个20至30μm的晶圆厚度极限。但这个厚度实际上只占用了整个晶圆厚度的一小部分，其余厚度的衬底只是为了保证硅片在制造、测试、封装和运送的过程中有足够的强度。在晶圆上的集成电路制作完成后，需要对硅片进行背面减薄，使其达到所需的厚度。

现行技术制作超薄晶圆，通常采用键合玻璃载板来完成晶圆背面减薄，当背面工艺完成后，会将特薄晶圆贴附在软性的高分子膜上进行解键合并将晶圆切割。在晶圆切割时，高分子膜四周虽有金属固定，但是高分子膜的本身的应力弱，因此当晶圆薄到30um以下(8寸及12寸晶圆)时解键合玻璃载板，或是去除黏着层时，非常容易产生晶圆碎裂。

发明内容

为解决上述背景技术中提到的不足，本发明的目的在于提供一种利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺，利用化学强化的超薄玻璃做第二次键合以取代传统的高分子膜切割模框，可以有效防止玻璃载板解键合后晶圆碎裂。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

一种利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺，包括以下步骤：

S1、完成晶圆正面制程；

S2、将晶圆正面暂时键合玻璃载板；

S3、通过研磨蚀刻的方式对晶圆背面减薄，然后完成晶圆背面制程；

S4、将晶圆背面键合超薄玻璃载板；

S5、解键合除去晶圆正面的玻璃载板，清洗除去黏着层，然后完成对晶圆切割。

进一步优选地，所述晶圆正面制程包括黄光制程、ILD制程、离子植入制程、金属制程和蚀刻制程。

进一步优选地，所述步骤S2中玻璃载板为厚度400-800μm的普通硅酸盐玻璃板，步骤S2键合玻璃板的黏着层厚度大于30μm。

进一步优选地，所述晶圆背面制程包括黄光制程、离子植入制程和金属制程。

进一步优选地，所述步骤S4中超薄玻璃载板为厚度小于100μm的高铝硅玻璃板，步骤S4中键合超薄玻璃载板的黏着层厚度小于30μm。

本发明的有益效果：

本发明采用两次键合及解键合的技术晶圆超薄晶圆加工，第二次键合用强化过的超薄玻璃载板取代传统的切割模框以确保晶粒可在有强度及柔性的玻璃载板上进行封装的加工制程，可确保超薄晶圆(晶粒)不会产生碎裂的现象。

附图说明

下面结合附图对本发明作进一步的说明。