[发明专利]对准标记数获取方法和装置有效

专利信息
申请号: 202110339784.0 申请日: 2021-03-30
公开(公告)号: CN113325668B 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 汪恒 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 张娜;臧建明
地址: 230011 安徽省合肥*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 对准 标记 获取 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种对准标记数获取方法,其特征在于,包括:

获取曝光机在进行第一晶圆曝光时的第一时间,以及获取曝光机在进行第二晶圆对准时的第二时间;其中,所述曝光机包括对准平台和曝光平台,当晶圆位于曝光平台时定义所述晶圆为所述第一晶圆,所述第一晶圆具有曝光参数,当晶圆位于对准平台时定义所述晶圆为所述第二晶圆,所述第二晶圆具有对准标记数;同一晶圆依次经过对准平台和曝光平台以完成曝光工艺;

当所述第一时间小于所述第二时间时,获取所述第二时间和所述第一时间之间的第一时间差;

当所述第一时间差大于预设值时,根据所述第一晶圆的曝光参数和对应关系确定所述第二晶圆的目标对准标记数,其中所述对应关系是曝光参数和对准标记数之间的关系,所述对应关系用于使得所述第一时间差小于或等于所述预设值;

输出所述目标对准标记数。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:

当历史第一时间差小于或等于所述预设值时,获取与所述历史第一时间差对应的第一晶圆曝光参数和第二晶圆对准标记数;其中,所述历史第一时间差是历史第一时间和历史第二时间之间的差值,所述历史第一时间为所述曝光机在进行所述第一晶圆的历史曝光时的时间,所述历史第二时间为所述曝光机在进行所述第二晶圆的历史对准时的时间;

根据多个所述第一晶圆曝光参数和多个所述第二晶圆对准标记数获取所述对应关系。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一晶圆曝光参数包括第一晶圆曝光能量和第一晶圆曝光区域数。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述对应关系包括第一对应关系和第二对应关系,所述根据多个所述第一晶圆曝光参数和多个所述第二晶圆对准标记数获取所述对应关系包括:

根据多个所述第一晶圆曝光能量和多个所述第二晶圆对准标记数获取所述第一对应关系;

根据多个所述第一晶圆曝光区域数和多个所述第二晶圆对准标记数获取所述第二对应关系。

5.根据权利要求1-4任一项所述的方法,其特征在于,还包括:

当所述第一时间大于或等于所述第二时间时,输出所述第二晶圆的对准标记数为所述第二晶圆的目标对准标记数。

6.根据权利要求1-4任一项所述的方法,其特征在于,还包括:

当所述第一时间差小于或等于所述预设值时,输出所述第二晶圆的对准标记数为所述第二晶圆的目标对准标记数。

7.一种对准标记数获取装置,其特征在于,包括:

获取模块,用于获取曝光机在进行第一晶圆曝光时的第一时间,以及获取曝光机在进行第二晶圆对准时的第二时间;其中,所述曝光机包括对准平台和曝光平台,当晶圆位于曝光平台时定义所述晶圆为所述第一晶圆,所述第一晶圆具有曝光参数,当晶圆位于对准平台时定义所述晶圆为所述第二晶圆,所述第二晶圆具有对准标记数;同一晶圆依次经过对准平台和曝光平台以完成曝光工艺;

所述获取模块还用于当所述第一时间小于所述第二时间时,获取所述第二时间和所述第一时间之间的第一时间差;

处理模块,用于当所述第一时间差大于预设值时,根据所述第一晶圆的曝光参数和对应关系确定所述第二晶圆的目标对准标记数,其中所述对应关系是曝光参数和对准标记数之间的关系,所述对应关系用于使得所述第一时间差小于或等于所述预设值;

输出模块,用于输出所述目标对准标记数。

8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述获取模块还用于:

当历史第一时间差小于或等于所述预设值时,获取与所述历史第一时间差对应的第一晶圆曝光参数和第二晶圆对准标记数;其中,所述历史第一时间差是历史第一时间和历史第二时间之间的差值,所述历史第一时间为所述曝光机在进行所述第一晶圆的历史曝光时的时间,所述历史第二时间为所述曝光机在进行所述第二晶圆的历史对准时的时间;

根据多个所述第一晶圆曝光参数和多个所述第二晶圆对准标记数获取所述对应关系。

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