[发明专利]一种氧化硅单包铯铜氯量子点及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种氧化硅单包铯铜氯量子点的制备方法，其特征在于，所述方法如下：

向铯铜氯量子点分散液中加入四乙基硅烷，获得反应液，将所述反应液在40-70℃下先以200-400rpm的速率搅拌反应10-15min，再以20-50rpm的速率搅拌反应15-30min，随后离心取沉淀，所述沉淀经洗涤后即可；所述反应液中铯铜氯量子点与四乙基硅烷的摩尔比为1:3.2-9.6。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离心具体为：以9000-11000rpm的速率离心5-8min。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述洗涤具体为：将所述沉淀分散于甲苯中，以8000-10000rpm的速率离心洗涤5-8min，即可。

4.如权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述铯铜氯量子点按如下方法制备：

(1)油酸铯前驱液的制备：将Cs₂CO₃和油酸溶于十八稀中，氮气除气后，升温至110-150℃，待Cs₂CO₃和油酸完全反应，制得油酸铯前驱液；

(2)铯铜氯量子点的制备：将CuCl加入十八稀中，氮气除气后升温至110-150℃，然后加入油胺和油酸至CuCl完全溶解，随后注入步骤(1)中制得的油酸铯前驱液，搅拌反应10-60s后立即放入冰浴中快速冷却，即可。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述Cs₂CO₃、油酸和十八稀的质量体积比为200-400:0.6-1:10-30，mg:mL:mL。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述CuCl、十八稀、油胺、油酸和油酸铯前驱液的质量体积比为30-45:5-15:0.5-2:0.5-2:2-5，mg:mL:mL:mL:mL。

7.权利要求1-6任一项所述的方法制备的氧化硅单包铯铜氯量子点。

8.权利要求7所述的氧化硅单包铯铜氯量子点在可见光通信中的应用。

9.如权利要求8所述的应用，其特征在于，所述氧化硅单包铯铜氯量子点用于制备白光发光二极管，所述白光发光二极管作为可见光通信中的光源。

10.如权利要求9所述的应用，其特征在于，所述白光发光二极管的制备方法如下：

1)将红色荧光粉分散于A/B胶中后，滴加到紫外芯片上，固化得到固化芯片；

2)将氧化硅单包铯铜氯量子点分散于聚甲基丙烯酸甲酯甲苯溶液中，然后滴涂于步骤(1)中所述固化芯片上，烘干即可。