[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

半导体层，位于所述衬底的一侧；

氢元素供给层，所述氢元素供给层位于所述半导体层靠近或远离所述衬底的一侧；所述氢元素供给层中含有氢；

阻挡层，所述阻挡层位于所述氢元素供给层和所述半导体层之间；其中所述阻挡层包括阻挡区和至少两个非阻挡区，所述阻挡区的氢元素透过率低于所述非阻挡区的氢元素透过率；所述半导体层的沟道区域在所述阻挡层的垂直投影位于所述阻挡区内；

其中，所述氢元素供给层用于通过所述非阻挡区向所述半导体层提供氢元素，以使所述半导体层对应于所述非阻挡区的位置导体化。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述阻挡层包括第一阻挡子层，所述非阻挡区的第一阻挡子层的厚度小于所述阻挡区的第一阻挡子层的厚度；

优选地，所述第一阻挡子层的材料包括氧化铝。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述非阻挡区的第一阻挡子层的厚度为零。

4.根据权利要求2或3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述阻挡层还包括第二阻挡子层，所述第二阻挡子层位于所述第一阻挡子层与所述半导体层之间，所述第二阻挡子层的厚度与所述氢元素供给层中的氢含量正相关；所述第一阻挡子层的氢元素透过率低于所述第二阻挡子层的氢元素透过率；

优选地，所述第二阻挡子层的材料包括氧化硅。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括栅极、源极和漏极；所述氢元素供给层位于所述半导体层靠近所述衬底的一侧；

所述栅极位于所述半导体层远离所述衬底的一侧；所述栅极与所述半导体层之间还包括栅极绝缘层；所述栅极远离所述衬底一侧还包括层间绝缘层，所述源极和所述漏极位于所述层间绝缘层远离所述衬底的一侧；所述源极通过贯穿所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层的第一过孔与对应于所述非阻挡区的所述半导体层电连接，所述漏极通过贯穿所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层的第二过孔与对应于所述非阻挡区的所述半导体层电连接；

或所述栅极位于所述氢元素供给层靠近所述衬底的一侧；所述栅极与所述氢元素供给层之间还包括所述栅极绝缘层，所述半导体层远离所述衬底的一侧还包括层间绝缘层，所述源极和所述漏极位于所述层间绝缘层远离所述衬底的一侧；所述源极通过贯穿所述层间绝缘层的第一过孔与对应于所述非阻挡区的所述半导体层电连接，所述漏极通过贯穿所述层间绝缘层的第二过孔与对应于所述非阻挡区的所述半导体层电连接。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括栅极、源极和漏极；所述氢元素供给层位于所述半导体层远离所述衬底的一侧；

所述栅极位于所述氢元素供给层远离所述衬底的一侧；所述栅极与所述氢元素供给层之间还包括栅极绝缘层；所述栅极远离所述衬底一侧还包括层间绝缘层，所述源极和所述漏极位于所述层间绝缘层远离所述衬底的一侧；所述源极通过贯穿所述层间绝缘层、所述栅极绝缘层、所述氢元素供给层以及所述阻挡层的第一过孔与对应于所述非阻挡区的所述半导体层电连接，所述漏极通过贯穿所述层间绝缘层、所述栅极绝缘层、所述氢元素供给层以及所述阻挡层的第二过孔与对应于所述非阻挡区的所述半导体层电连接；

或所述栅极位于所述半导体层靠近所述衬底的一侧；所述栅极与所述半导体层之间还包括所述层间绝缘层；所述半导体层与所述阻挡层之间还包括层间绝缘层，所述源极和所述漏极位于所述氢元素供给层远离所述衬底的一侧；所述源极通过贯穿所述氢元素供给层、所述阻挡层以及所述层间绝缘层的第一过孔与对应于所述非阻挡区的所述半导体层电连接，所述漏极通过贯穿所述氢元素供给层、所述阻挡层以及所述层间绝缘层的第二过孔与对应于所述非阻挡区的所述半导体层电连接；

优选地，所述第一过孔在所述阻挡层的垂直投影位于所述非阻挡区内，且所述第一过孔在所述阻挡层的垂直投影与所述第一过孔的垂直投影所在的所述非阻挡区的边缘距离大于0，所述第二过孔在所述阻挡层的垂直投影位于所述非阻挡区内，且所述第二过孔在所述阻挡层的垂直投影与所述第二过孔的垂直投影所在的所述非阻挡区的边缘距离大于0。