[发明专利]一种显示面板及显示装置有效
申请号: | 202110340223.2 | 申请日: | 2021-03-30 |
公开(公告)号: | CN113097269B | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
发明(设计)人: | 邓贤柱;张萌;杜凌霄;单奇 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板及显示装置。该显示面板包括:衬底基板;设置于衬底基板上的像素发光层;设置于像素发光层远离衬底基板一侧的光致变色层;光致变色层在像素发光层发光时呈透光状态、且在像素发光层不发光时呈非透光状态。本发明公开的方案能够降低显示面板显示区的反射光,降低显示面板的反射率,从而解决熄屏时产生的衍射问题。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,具有显示功能的电子设备被广泛应用于人们的日常生活及工作当中。
目前,通常采用去偏光片技术(又称COE(Color filter on Encapsulationlayer)技术)来降低显示器件的厚度和功耗。然而,去偏光片技术会带来反射率的提升,从而导致显示器件在熄屏时出现衍射条纹,以及熄屏时存在色偏的问题。
发明内容
本发明提供一种显示面板及显示装置,能够降低显示面板显示区的反射光,降低显示面板的反射率,从而解决熄屏时产生的衍射问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,包括:
衬底基板;
设置于衬底基板上的像素发光层;
设置于像素发光层远离衬底基板一侧的光致变色层;光致变色层在像素发光层发光时呈透光状态、且在像素发光层不发光时呈非透光状态。
如上的显示面板,可选地,像素发光层包括多个子像素单元,子像素单元包括:第一阳极;设置于第一阳极远离衬底基板一侧的发光层;设置于发光层远离衬底基板一侧的阴极;
光致变色层包括:设置于阴极远离衬底基板一侧的变色材料层;设置于变色材料层远离衬底基板一侧的离子存储层;设置于离子存储层远离衬底基板一侧的第二阳极。
如上的显示面板,可选地,变色材料层至少覆盖阴极对应发光层的区域,离子存储层至少覆盖变色材料层;第二阳极至少覆盖离子存储层;
优选地,变色材料层在衬底基板上的正投影与发光层在衬底基板上的正投影重合,第二阳极在衬底基板上的正投影与阴极在衬底基板上的正投影重合;
优选地,变色材料层在衬底基板上的正投影、离子存储层在衬底基板上的正投影、第二阳极在衬底基板上的正投影均与发光层在衬底基板上的正投影重合。
如上的显示面板,可选地,当像素发光层发光时,阴极输出第一信号,第一阳极输出第二信号,第二阳极输出第一信号;
当像素发光层不发光时,阴极输出第一信号,第一阳极输出第一信号,第二阳极输出第三信号;
优选地,第一信号为低电平信号,第二信号为高电平信号,第三信号为高电平信号;或者,第一信号为高电平信号,第二信号为低电平信号,第三信号为低电平信号。
如上的显示面板,可选地,子像素单元包括子像素M1-Mn,
当变色材料层在衬底基板上的正投影、离子存储层在衬底基板上的正投影、第二阳极在衬底基板上的正投影均与发光层在衬底基板上的正投影重合时,第二阳极包括子阳极A1-An;
其中,子阳极Aj在衬底基板上的正投影与子像素Mj的发光层在衬底基板上的正投影重合,n为大于等于3的整数,1≤j≤n。
如上的显示面板,可选地,还包括:设置于衬底基板和像素发光层之间的薄膜晶体管;
其中,薄膜晶体管包括:设置于衬底基板上的有源层,设置于有源层上的栅极绝缘层,设置于栅极绝缘层上的栅极,设置于栅极上的层间绝缘层,设置于层间绝缘层上的源极和漏极;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥维信诺科技有限公司,未经合肥维信诺科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110340223.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的