[发明专利]CMOS图像传感器、干涉型滤光片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110343446.4 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113093322B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 袁恺;陈世杰 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | G02B5/28 | 分类号： | G02B5/28;G03F7/00;H04N25/76 |
| 代理公司： | 北京北汇律师事务所 11711 | 代理人： | 马亚坤 |
| 地址： | 401332 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 干涉 滤光 及其 制备 方法 | ||
1.一种干涉型滤光片，其特征在于，包括：第一材料层，波长调节层，第二材料层；
干涉型滤光片底层设置有所述第一材料层；
所述第一材料层上方设置有所述波长调节层，所述波长调节层用于抑制由于光的入射角不同产生的波长蓝移；
所述波长调节层上方设置有所述第二材料层；
其中，所述波长调节层的结构包括：网格型结构；
在同一波段，所述网格型结构设置为，随着像素单元逐渐远离CMOS图像传感器芯片中心，网格型结构密度逐渐增大。
2.根据权利要求1所述的干涉型滤光片，其特征在于，
在同一波段，随着像素单元逐渐远离CMOS图像传感器芯片中心，各个所述像素单元中所述波长调节层的有效折射率与光的入射角余弦值的乘积相同。
3.根据权利要求1所述的干涉型滤光片，其特征在于，所述网格型结构是由低折射率材料与高折射率材料交替排列构成；其中所述低折射率材料为SiO2，所述高折射率材料为Si3N4或TiO2。
4.一种干涉型滤光片，其特征在于，包括：第一材料层，波长调节层，第二材料层；
干涉型滤光片底层设置有所述第一材料层；
所述第一材料层上方设置有所述波长调节层，所述波长调节层用于抑制由于光的入射角不同产生的波长蓝移；
所述波长调节层上方设置有所述第二材料层；
其中，所述波长调节层的结构包括：在同一波段，随着像素单元逐渐远离CMOS图像传感器芯片中心，所述波长调节层的掺杂物的掺杂浓度逐渐增大。
5.根据权利要求4所述的干涉型滤光片，其特征在于，在同一波段，随着像素单元逐渐远离CMOS图像传感器芯片中心，所述波长调节层的折射率与光的入射角余弦值的乘积相同。
6.一种CMOS图像传感器，包含权利要求1-5中任一项所述的干涉型滤光片，其特征在于，包括：像素区域、读出电路、水平访问电路以及垂直访问电路；
所述垂直访问电路连接至所述像素区域；
所述像素区域连接至所述读出电路；
所述读出电路连接至所述水平访问电路。
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