[发明专利]纳秒刀校准方法及装置在审

专利信息
申请号: 202110343557.5 申请日: 2021-03-30
公开(公告)号: CN115137470A 公开(公告)日: 2022-10-04
发明(设计)人: 巫彤宁;杨蕾;姜昊宇 申请(专利权)人: 中国信息通信研究院
主分类号: A61B18/12 分类号: A61B18/12
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 侯天印;郝博
地址: 100191 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 纳秒刀 校准 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种纳秒刀校准方法,其特征在于,包括:

利用电场探头获取目标容器内介质的电场数据;所述电场数据由所述纳秒刀发送至所述目标容器内;

根据所述电场数据生成所述纳秒刀的电场校准参数;

根据所述电场校准参数和预设校准范围确定纳秒刀校准结果。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,利用电场探头获取目标容器内介质的电场数据,包括:

利用电场探头分批次获取目标容器内介质的电场数据;每批次的电场探头在所述目标容器中的位置不同。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述电场校准参数包括电场强度参数、电场波形参数和电场比例参数;

根据所述电场校准参数和预设校准范围确定纳秒刀校准结果,包括:

若所述电场强度参数、电场波形参数或电场比例参数不满足所述预设校准范围,则确定校准结果为所述纳秒刀未通过校准;

若所述电场强度参数、电场波形参数和电场比例参数满足所述预设校准范围,则确定校准结果为所述纳秒刀通过校准。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,根据所述电场数据生成所述纳秒刀的电场校准参数,包括:

计算各批次电场强度参数满足预设场强范围的电场探头的第一个数;

根据所述第一个数和各批次电场探头的总个数确定电场比例参数。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述目标容器表面设有第一固定装置和第二固定装置;

所述第一固定装置用于固定所述纳秒刀;

所述第二固定装置用于固定所述电场探头。

6.一种纳秒刀校准装置,其特征在于,包括:

获取模块,用于利用电场探头获取目标容器内介质的电场数据;所述电场数据由所述纳秒刀发送至所述目标容器内;

参数模块,用于根据所述电场数据生成所述纳秒刀的电场校准参数;

校准模块,用于根据所述电场校准参数和预设校准范围确定纳秒刀校准结果。

7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述电场校准参数包括电场强度参数、电场波形参数和电场比例参数;所述校准模块,具体用于:

若所述电场强度参数、电场波形参数或电场比例参数不满足所述预设校准范围,则确定校准结果为所述纳秒刀未通过校准;

若所述电场强度参数、电场波形参数和电场比例参数满足所述预设校准范围,则确定校准结果为所述纳秒刀通过校准。

8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述参数模块,具体用于:

计算各批次电场强度参数满足预设场强范围的电场探头的第一个数;

根据所述第一个数和各批次电场探头的总个数确定电场比例参数。

9.一种计算机设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至5任一所述纳秒刀校准方法。

10.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质存储有执行权利要求1至5任一所述纳秒刀校准方法的计算机程序。

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