[发明专利]一种沟槽分离栅器件的制造方法

权利要求书

1.一种沟槽分离栅器件的制造方法，其特征在于，

器件包括衬底(100)，衬底(100)上表面有外延层(110)，外延层(110)内有沟槽结构(120)，沟槽结构(120)内包含三层分离栅介质层，即第一分离栅介质层(121)，第二分离栅介质层(122)与第三分离栅介质层(123)，其中即第一分离栅介质层(121)和第三分离栅介质层(123)为氧化硅层，第二分离栅介质层(122)为氮化硅层，三层分离栅介质层包围着分离栅(125)，分离栅(125)上方为第一隔离介质层(126)，第一隔离介质层(126)上方为控制栅(132)，外延层(110)左上方为P型阱区(140)，P型阱区(140)上方为P型重掺杂区(142)，P型重掺杂区(142)上方为N型重掺杂区(141)，在N型重掺杂区(141)引出源极金属孔(151)，源极金属孔(151)与控制栅(132)由隔离氧化层(150)隔开；

制造方法包括如下步骤：

步骤(1)刻蚀半导体衬底形成沟槽(120)；

步骤(2)于所述沟槽内形成分离栅介质层；分离栅介质层由至少一层介质层构成；

步骤(3)于所述沟槽内淀积多晶硅形成分离栅(125)；

步骤(4)在所述分离栅上形成隔离介质层；隔离介质层处于分离栅和控制栅之间，隔离介质层由至少一层介质层构成；分离栅介质层和隔离介质层不能同时为一层介质层；

步骤(5)在所述隔离介质层上形成倒U形控制栅(132)。

2.一种沟槽分离栅器件的制造方法，其特征在于：

器件包括衬底(100)，衬底(100)上表面有外延层(110)，外延层(110)内有沟槽结构(120)，沟槽结构(120)内为单层分离栅介质层(124)，分离栅介质层包围着分离栅(125)，分离栅(125)上方为第二隔离介质层(127)，第二隔离介质层(127)上方为第三隔离介质层(128)，其中第三隔离介质层(128)为栅氧化层，第三隔离介质层(128)上方为第四隔离介质层(129)，第四隔离介质层(129)上方为第五隔离介质层(130)，四层隔离介质层为氧化物-栅氧化层-氮化物-氧化物结构，第五隔离介质层(130)上方为控制栅(132)，外延层(110)左上方为P型阱区(140)，P型阱区(140)上方为P型重掺杂区(142)，P型重掺杂区(142)上方为N型重掺杂区(141)，在N型重掺杂区(141)引出源极金属孔(151)，源极金属孔(151)与控制栅(132)由隔离氧化层(150)隔开；

制造方法包括如下步骤：步骤(1)刻蚀半导体衬底形成沟槽(120)；

步骤(2)于所述沟槽内形成分离栅介质层；分离栅介质层采用氧化层-氮化硅-氧化层的三层结构；

步骤(3)于所述沟槽内淀积多晶硅形成分离栅(125)；

步骤(4)在所述分离栅上形成隔离介质层；隔离介质层处于分离栅和控制栅之间，隔离介质层由一层介质层构成；

步骤(5)在所述隔离介质层上形成倒U形控制栅(132)；通过刻蚀分离栅介质层中间的氮化硅层，向沟槽内淀积多晶硅并回刻，形成倒U形控制栅。

3.根据权利要求2所述的沟槽分离栅器件的制造方法，其特征在于：步骤(5)在所述隔离介质层上形成倒U形控制栅的步骤为：所述分离栅介质层采用多层介质层组成，湿法刻蚀分离栅质层的中间层，向所述沟槽内淀积多晶硅并回刻，形成倒U形控制栅。

4.根据权利要求3所述的沟槽分离栅器件的制造方法，其特征在于：多层介质层的形成材料不同，选自氧化硅、氮化硅或介电常数低于2.8的低K材料。