[发明专利]一种NbMoTaWAl难熔高熵合金薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202110344020.0 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113151795A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 杨冲;李彤;王亚强;刘刚;孙军 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54;C23C14/16;C22C30/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 范巍 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 nbmotawal 难熔高熵 合金 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种NbMoTaWAl难熔高熵合金薄膜，其特征在于，原子百分比为：Al 2.4～19.4at.％，其余为等原子比的NbMoTaW。
2.根据权利要求1所述的NbMoTaWAl难熔高熵合金薄膜，其特征在于，薄膜厚度为1.0～4.0μm。
3.根据权利要求1所述的NbMoTaWAl难熔高熵合金薄膜，其特征在于，所述高熵合金薄膜的晶粒为柱状纳米晶。
4.根据权利要求1-3任一项所述的NbMoTaWAl难熔高熵合金薄膜，其特征在于，所述NbMoTaWAl高熵合金薄膜的纳米压痕硬度为11.0～15.0GPa。
5.一种权利要求1-3任一项所述的NbMoTaWAl难熔高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：对基体表面进行超声清洗并烘干；
步骤2：在真空条件采用磁控溅射共溅射方法在基体上制备NbMoTaWAl难熔高熵合金薄膜；
所述NbMoTaW合金靶NbMoTaW合金靶采用直流电源进行溅射，功率为200W，Al靶采用射频电源进行溅射，功率13～130W，沉积温度为150℃；
步骤3：将步骤2得到的样品进行真空冷却，得到NbMoTaWAl难熔高熵合金薄膜。
6.根据权利要求5所述的NbMoTaWAl难熔高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中所述清洗烘干处理的方法具体如下：
将抛光的基体在丙酮和酒精中依次超声清洗10分钟，然后烘干。
7.根据权利要求5所述NbMoTaWAl难熔高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2中所述抽真空至背底真空度小于4.0×10-4Pa。
8.根据权利要求5所述NbMoTaWAl难熔高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于，所述NbMoTaW合金靶纯度99.9wt.％所述Al靶纯度99.9wt.％。
9.根据权利要求5所述NbMoTaWAl难熔高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射共溅射的沉积气压0.3Pa，基盘转速15r/min，沉积时间10000s。
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