[发明专利]一种反射镜以及反射镜的镀膜方法

权利要求书

1.一种反射镜，其特征在于，所述反射镜包括光学基片以及依次镀设于所述光学基片上的一氧化硅膜层、镍膜层、银膜层、第一五氧化三钛膜层、第一二氧化硅膜层、第二五氧化三钛膜层、第二二氧化硅膜层以及防水膜层；

其中，所述一氧化硅膜层的厚度为12～20nm；

所述镍膜层的厚度为8～14nm；

所述银膜层的厚度为1580～1690nm；

所述第一五氧化三钛膜层的厚度为3～5.5nm；

所述第一二氧化硅膜层的厚度为37～47nm；

所述第二五氧化三钛膜层的厚度为18～24nm；

所述第二二氧化硅膜层的厚度为5.5～9nm；

所述防水膜层的厚度为3～7nm。

2.如权利要求1所述的反射镜，其特征在于，所述光学基片为塑料基片或金属基片。

3.一种如权利要求1至2任意一项所述的反射镜的镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：

在轰击处理后的光学基片上依次真空蒸镀一氧化硅膜层、镍膜层、银膜层、第一五氧化三钛膜层、第一二氧化硅膜层、第二五氧化三钛膜层、第二二氧化硅膜层以及防水膜层。

4.如权利要求3所述的反射镜的镀膜方法，其特征在于，在轰击处理后的光学基片上依次真空蒸镀一氧化硅膜层、镍膜层、银膜层、第一五氧化三钛膜层、第一二氧化硅膜层、第二五氧化三钛膜层、第二二氧化硅膜层以及防水膜层的步骤包括：

将光学基片放入真空镀膜机中，抽真空并同时加热，待真空度和温度达到设定值之后，先进行离子轰击处理，去除所述光学基片的表面灰尘，然后进行真空镀膜，先依次镀设一氧化硅膜层、镍膜层、银膜层和第一五氧化三钛膜层，然后开启离子源轰击15～25s后，在保持离子源轰击的状态下，依次镀设第一二氧化硅膜层和第二五氧化三钛膜层，然后关闭离子源，继续依次镀设第二二氧化硅膜层和防水膜层。

5.如权利要求4所述的反射镜的镀膜方法，其特征在于，所述温度的设定值为55～65℃。

6.如权利要求4所述的反射镜的镀膜方法，其特征在于，所述离子源轰击时的阳极电压为550～650V，电流为550～650mA，阴极电压为450～450V。

7.如权利要求4所述的反射镜的镀膜方法，其特征在于，依次镀设所述一氧化硅膜层、镍膜层和银膜层的过程中，所述真空镀膜机的真空度为(1.2～1.8)E-03Pa；

依次镀设所述第一五氧化三钛膜层、第一二氧化硅膜层和第二五氧化三钛膜层的过程中，所述真空镀膜机的真空度为(1.8～2.2)E-02Pa；

依次镀设所述第二二氧化硅膜层和防水膜层的过程中，所述真空镀膜机的真空度为(6.5～7.5)E-04Pa。

8.如权利要求4所述的反射镜的镀膜方法，其特征在于，镀设所述一氧化硅膜层时的蒸镀电流为40～50mA；

镀设所述镍膜层时的蒸镀电流为300～320mA；

镀设所述银膜层时的蒸镀电流为110～130mA；

镀设所述第一五氧化三钛膜层时的蒸镀电流为320～380mA；

镀设所述第一二氧化硅膜层时的蒸镀电流为130～170mA；

镀设所述第二五氧化三钛膜层时的蒸镀电流为320～380mA；

镀设所述第二二氧化硅膜层时的蒸镀电流为130～170mA；

镀设所述防水膜层时的蒸镀电流为250～290mA。

9.如权利要求4所述的反射镜的镀膜方法，其特征在于，镀设所述一氧化硅膜层时的蒸发速率为4.5～5.5A/S；

镀设所述镍膜层时的蒸发速率为1.0～1.5A/S；

镀设所述银膜层时的蒸发速率为13～17A/S；

镀设所述第一五氧化三钛膜层时的蒸发速率为1～1.5A/S；

镀设所述第一二氧化硅膜层时的蒸发速率为4.0～6.0A/S；

镀设所述第二五氧化三钛膜层时的蒸发速率为2.0～3.0A/S；

镀设所述第二二氧化硅膜层时的蒸发速率为1.0～2.0A/S。