[发明专利]一种R-T-B系永磁材料及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202110344567.0 申请日: 2021-03-26
公开(公告)号: CN113066626B 公开(公告)日: 2023-06-13
发明(设计)人: 陈大崑;权其琛;黄佳莹;付刚;许德钦;黄清芳 申请(专利权)人: 福建省长汀金龙稀土有限公司
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;H01F41/02
代理公司: 上海弼兴律师事务所 31283 代理人: 王卫彬;邹玲
地址: 366300 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 永磁 材料 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种R-T-B系永磁材料,其特征在于,所述R-T-B系永磁材料包括如下质量含量的组分:

R,28.5~32.0mas%;所述R为至少含有Nd的稀土元素;

Cu,0.16~0.20mas%;

Ga,0.60~0.80mas%;

B,≥0.99mas%;

Fe,64~68mas%;

Zr,0.25~0.44mas%;

N,0.20~0.60mas%;所述N为Ti、Nb和Hf中的一种或多种;

所述N包含Ti时,所述Ti的含量为0.10mas%或0.29~0.55mas%;

所述N包含Nb时,所述Nb的含量为0.25~0.51mas%;百分比为各组分质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比;

所述R-T-B系永磁材料包括富稀土相,硼化物和主相晶粒;

所述富稀土相为富钕相;所述硼化物为ZrB、HfB、NbB和TiB中的一种或多种;所述主相晶粒为Nd2Fe14B晶粒;

所述富稀土相分布有Cu和Ga;其中,所述Cu在富稀土相的分布量为所述Cu的95%以上;所述Ga在富稀土相的分布量为所述Ga的95%以上;

所述主相晶粒的内部分布有Ga;所述Ga在主相晶粒的内部的分布量为所述Ga的5%以下;

所述富稀土相和所述硼化物的晶界处分布有Zr,所述晶界处分布的Zr与B结合成硼化物;所述Zr在晶界处的分布量为所述Zr的95%以上;其中,所述Zr为取代所述主相晶粒中的Fe,并分布在所述主相晶粒的内部;取代主相晶粒中Fe的Zr的分布量为所述Zr的5%以下;

所述富稀土相和所述硼化物的晶界处分布有N,所述晶界处分布的N与B结合成硼化物;所述N在晶界处的分布量为所述N的95%以上;其中,所述N为取代所述主相晶粒中的Fe,并分布在所述主相晶粒的内部;取代主相晶粒中Fe的N的分布量为所述N的5%以下。

2.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料,其特征在于,所述R的含量为29.0~31.0mas%;百分比为所述R的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。

3.如权利要求2所述的R-T-B系永磁材料,其特征在于,所述R的含量为29.74~29.95mas%;百分比为所述R的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。

4.如权利要求2所述的R-T-B系永磁材料,其特征在于,所述R的含量为29.74mas%、29.89mas%、29.90 mas%、29.95mas%、30.13mas%、30.28mas%、30.56mas%或30.99mas%;百分比为所述R的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。

5.如权利要求2所述的R-T-B系永磁材料,其特征在于,所述Nd的含量为29.5~31.0mas%;百分比为所述Nd的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。

6.如权利要求5所述的R-T-B系永磁材料,其特征在于,所述Nd的含量为29.74~30.99mas%;百分比为所述Nd的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。

7.如权利要求6所述的R-T-B系永磁材料,其特征在于,所述Nd的含量为29.74mas%、29.89mas%、29.90 mas%、29.95mas%、30.13mas%、30.28mas%或30.99mas%;百分比为所述Nd的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。

8.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料,其特征在于,所述R还含有Pr。

9.如权利要求8所述的R-T-B系永磁材料,其特征在于,所述Pr的含量为0~0.3mas%;百分比为所述Pr的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。

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