[发明专利]一种PERC电池、其AlOx镀膜工艺、多层AlOx背钝化结构及方法

权利要求书

1.一种PERC电池的AlOx镀膜工艺，其特征在于：将经过热氧化退火后的硅片置入管式PECVD设备中，制备AlOx多层/渐变钝化膜，其中，底层AlOx膜采用低功率和低脉冲开关比工艺条件制备，且底层AlOx膜和中层AlOx膜采用低沉积速率和高氧含量的工艺条件制备，顶层AlOx膜采用高沉积速率工艺条件制备。

2.根据权利要求1所述的一种PERC电池的AlOx镀膜工艺，其特征在于：将PECVD设备腔体抽真空到100-2000mtorr的压强下并将腔体温度加热到300-400℃后，通入笑气和TMA的反应气体，打开射频电源制备AlOx多层/渐变钝化膜，AlOx多层/渐变钝化膜采用三层膜结构。

3.根据权利要求2所述的一种PERC电池的AlOx镀膜工艺，其特征在于：AlOx多层/渐变钝化膜镀膜工艺条件，具体如下：

底层AlOx膜工艺条件为：笑气流量：3500-4500sccm，TMA流量：30-60sccm；射频功率：4000-6000W；脉冲开关比20：(1200-1500)；工艺时间20-50s；

中层AlOx膜工艺条件为：笑气流量：3000-4000sccm，TMA流量：40-80sccm；射频功率：5000-7000W；脉冲开关比20：(1000-1200)；工艺时间40-60s；

顶层AlOx膜工艺条件为：笑气流量：2000-3000sccm，TMA流量：50-1000sccm；射频功率：6000-8000W；脉冲开关比20：(800-1000)；工艺时间50-70s。

4.一种PERC电池的多层AlOx背钝化方法，其特征在于，其步骤为：

步骤一、采用单插、正靠正或背靠背加大氧流量工艺，在硅片基体上制备氧化硅层；

步骤二、采用权利要求1-3任一项所述的镀膜工艺制备AlOx多层/渐变钝化膜；

步骤三、对PECVD设备腔体进行升温，同时通入NH₃和N₂O，对AlOx多层/渐变钝化膜进行H钝化和氧化处理；

步骤四、在腔体升温到400-550℃时，制备氮化硅膜，或氮化硅与氮氧化硅、氧化硅中的一种或多种的复合膜。

5.根据权利要求4所述的一种PERC电池的多层AlOx背钝化方法，其特征在于：步骤一采用背靠背方式，热氧化工艺条件为：温度650-750℃，氧气流量2500-4000sccm，时间20-40min。

6.根据权利要求5所述的一种PERC电池的多层AlOx背钝化方法，其特征在于：步骤三所述的对AlOx多层/渐变钝化膜进行H钝化和氧化处理的工艺条件为：NH₃和N₂O的流量控制在1000-4000sccm，真空压强500-2000mtorr，射频功率：2500-5000W，脉冲开关比30：(100-500)，工艺时间100-300s。

7.一种PERC电池的多层AlOx背钝化结构，包括硅片基体(1)、氧化硅层(2)，所述的氧化硅层(2)设置在硅片基体(1)上，其特征在于：所述的氧化硅层(2)上设置AlOx多层/渐变钝化膜，该AlOx多层/渐变钝化膜采用权利要求1所述工艺条件制备。

8.根据权利要求7所述的一种PERC电池的多层AlOx背钝化结构，其特征在于：所述的AlOx多层/渐变钝化膜优选三层膜结构，其AlOx底层(3)、AlOx中层(4)、AlOx顶层(5)采用如权利要求3所述的工艺条件制备。

9.一种PERC电池的多层AlOx背钝化结构，其特征在于：该背钝化结构采用如权利要求4-6任一项所述的背钝化方法制得。

10.一种PERC电池，其特征在于：包括如权利要求7-9任一项所述的背钝化结构。