[发明专利]一种平面型的阻变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种平面型的阻变存储器，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底两端的第一电极和第二电极、及位于所述第一电极和第二电极之间的介质层，所述介质层为一维纳米材料或一维微米材料。

2.根据权利要求1所述的平面型的阻变存储器，其特征在于，所述一维纳米材料选自纳米线、纳米带、纳米管、纳米棒中的一种；

或者，所述一维微米材料选自微米线、微米带、微米管、微米棒中的一种。

3.根据权利要求1所述的平面型的阻变存储器，其特征在于，所述介质层的材料选择肽、氨基酸、无机材料中的一种。

4.根据权利要求1所述的平面型的阻变存储器，其特征在于，所述介质层为纳米线。

5.根据权利要求4所述的平面型的阻变存储器，其特征在于，所述纳米线的直径为50-2000纳米，所述纳米线的长度为5-1000微米。

6.根据权利要求1所述的平面型的阻变存储器，其特征在于，所述介质层为苯丙氨酸二肽纳米线。

7.根据权利要求1所述的平面型的阻变存储器，其特征在于，所述第一电极和第二电极独立地选自银、金、铜、镍中的一种。

8.一种权利要求1-7任一项所述的平面型的阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供衬底；

在所述衬底两端制备第一电极和第二电极；

将制备好的一维纳米材料或一维微米材料形成于所述第一电极和第二电极之间，得到介质层。

9.根据权利要求8所述的平面型的阻变存储器，其特征在于，所述介质层由纳米线组成，采用溶液自组装制备得到所述纳米线。

10.根据权利要求8所述的平面型的阻变存储器，其特征在于，采用干法转移将制备好的一维纳米材料或一维微米材料转移至所述第一电极和第二电极之间。