[发明专利]一种差分总线驱动器在审
| 申请号： | 202110347046.0 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113206654A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 万明亮;恽廷华 | 申请（专利权）人： | 上海川土微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/0233 | 分类号： | H03K3/0233;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人： | 李思琼;冯振华 |
| 地址： | 201306 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 种差 总线 驱动器 | ||
1.一种差分总线驱动器，其特征在于，包括：
依次连接在高侧总线端的高侧第一级驱动电路和高侧第二级驱动电路；
依次连接在低侧总线端的低侧第一级驱动电路和低侧第二级驱动电路；
所述高侧第一级驱动电路和低侧第一级驱动电路被配置为隔离总线端的负高压，所述高侧第二级驱动电路和低侧第二级驱动电路被配置为隔离总线端的正高压。
2.根据权利要求1所述的差分总线驱动器，其特征在于，还包括，连接在所述高侧第二级驱动电路输出端的高侧第三级驱动电路，以及连接在所述低侧第二级驱动电路输出端的低侧第三级驱动电路，所述高侧第三级驱动电路和低侧第三级驱动电路被配置为控制差分总线的上升沿和下降沿摆率。
3.根据权利要求1所述的差分总线驱动器，其特征在于，所述高侧第一级驱动电路和低侧第一级驱动电路采用高压PMOS管隔离总线端的负高压。
4.根据权利要求3所述的差分总线驱动器，其特征在于，所述高侧第一级驱动电路和低侧第一级驱动电路还包括齐纳二极管，所述齐纳二极管用于维持所述高压PMOS管的栅源极压差在低压范围内。
5.根据权利要求1所述的差分总线驱动器，其特征在于，所述高侧第二级驱动电路和低侧第二级驱动电路采用高压NMOS管隔离总线端的正高压。
6.根据权利要求2所述的差分总线驱动器，其特征在于，所述低侧第三级驱动电路包括第一低压NMOS管、第二低压NMOS管和第一电容；所述第一低压NMOS管的漏极连接所述低侧第二级驱动电路的输出，所述第一电容连接所述第一低压NMOS管和第二低压NMOS管的栅极，以及第一低压NMOS管的漏极，还包括连接在所述第二低压NMOS管漏极的第一电流源和第一电阻，用于对所述第一低压NMOS管和第二低压NMOS管进行充放电。
7.根据权利要求6所述的差分总线驱动器，其特征在于，还包括，连接在所述第二低压NMOS管与第一电流源和第一电阻之间的第一开关和第二开关。
8.根据权利要求6所述的差分总线驱动器，其特征在于，所述高侧第三级驱动电路包括第一低压PMOS管、第二低压PMOS管和第二电容；所述第一低压PMOS管的漏极连接所述高侧第二级驱动电路的输出，所述第二电容连接所述第一低压PMOS管和第二低压PMOS管的栅极，以及第一低压PMOS管的漏极，还包括连接在所述第二低压PMOS管漏极的第二电流源和第二电阻，用于对所述第一低压PMOS管和第二低压PMOS管进行充放电。
9.根据权利要求8所述的差分总线驱动器，其特征在于，还包括，连接在所述第二低压PMOS管与第二电流源和第二电阻之间的第三开关和第四开关。
10.根据权利要求8或9所述的差分总线驱动器，其特征在于，所述第一低压NMOS管和第二低压NMOS管，以及所述第一低压PMOS管和第二低压PMOS管均以电流镜形式驱动总线。
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