[发明专利]一种多晶硅还原炉布棒方法、环状布棒多晶硅及用途

权利要求书

1.一种多晶硅还原炉布棒方法，其特征在于，所述硅棒排布呈圆环状排布，所述圆环排布中任一圆环中任一硅棒距离该圆环的几何中心距离为R。

2.如权利要求1所述的多晶硅还原炉布棒方法，其特征在于，所述每一圆环形成的几何图形在底盘呈正n边形分布。

3.如权利要求1所述的多晶硅还原炉布棒方法，其特征在于，所述圆环排布中任一圆环中任一硅棒距离该圆环的几何中心距离R可以表示为与硅棒形成的正多边形相关的几何参数的代数式。

4.如权利要求3所述的多晶硅还原炉布棒方法，其特征在于，所述几何参数的代数式为：

5.如权利要求4所述的多晶硅还原炉布棒方法，其特征在于，所述代数式中m为每一环中一对硅棒中两硅芯之间间距。

6.如权利要求4所述的多晶硅还原炉布棒方法，其特征在于，所述代数式中r为硅棒的最大沉积半径。

7.如权利要求4所述的多晶硅还原炉布棒方法，其特征在于，所述代数式中i为硅棒沉积到最大半径时相邻两对硅棒所形成的圆截面最小距离。

8.如权利要求4所述的多晶硅还原炉布棒方法，其特征在于，所述代数式中n为每一环硅棒在底盘所形成的中心对称图形的边数，n为正整数。

9.一种应用如权利要求1～8任意一项所述的多晶硅还原炉布棒方法得到的环状布棒多晶硅。

10.一种如权利要求9所述的环状布棒多晶硅在电子信息行业和太阳能光伏行业中的用途。