[发明专利]一种快恢复芯片的制造方法、制造设备和快恢复芯片

权利要求书

1.一种快恢复芯片的制造方法，其特征在于，包括步骤：

使用磷源对硅片进行磷扩散，以在所述硅片的至少一面形成磷扩散结构层；

去除所述硅片的其中一面的所述磷扩散结构层；

使用硼源对所述硅片进行硼扩散，以在所述硅片去除所述磷扩散结构层的一面形成硼扩散结构层；

对所述硼扩散结构层的表面进行抛光处理，以形成第一抛光面；

使用铂源在所述第一抛光面进行铂扩散，从而使得铂原子均匀的分布在所述硅片内；

采用经过所述铂扩散后的硅片制备得到快恢复芯片；

其中，经过抛光处理后的所述硅片的厚度比抛光前的所述硅片的厚度小3-5微米。

2.如权利要求1所述的一种快恢复芯片的制造方法，其特征在于，在所述使用铂源在所述第一抛光面进行铂扩散的步骤中，所述铂源为液态铂源，所述液态铂源均匀涂布在所述第一抛光面上以进行铂扩散。

3.如权利要求2所述的快恢复芯片的制造方法，其特征在于，在所述使用铂源在所述第一抛光面进行铂扩散的步骤中，所述铂扩散的温度为在800-950℃。

4.如权利要求1所述的快恢复芯片的制造方法，其特征在于，在所述去除所述硅片的其中一面的所述磷扩散结构层的步骤中，通过喷砂处理，以去除所述硅片的其中一面的所述磷扩散结构层。

5.如权利要求1所述的快恢复芯片的制造方法，其特征在于，

在所述使用硼源对所述硅片进行硼扩散，以在所述硅片去除所述磷扩散结构层的一面形成硼扩散结构层的步骤前，所述方法还包括：

对所述硅片去除所述磷扩散结构层的表面进行抛光处理，以形成第二抛光面；

在所述使用硼源对所述硅片进行硼扩散的步骤中，在所述第二抛光面涂覆液态硼源，以对所述硅片进行硼扩散。

6.如权利要求1所述的快恢复芯片的制造方法，其特征在于，在所述使用铂源在所述第一抛光面进行铂扩散的步骤中，以每分钟5-7升的速率通入氮气。

7.如权利要求1-6任一项所述的快恢复芯片的制造方法，其特征在于，在所述对所述硼扩散结构层的表面进行抛光处理，以形成第一抛光面的步骤中，对抛光后的所述硅片进行清洗。

8.一种快恢复芯片，其特征在于，采用如权利要求1-7任意一项所述的快恢复芯片的制造方法制得，所述快恢复芯片包括：

磷区，为所述快恢复芯片的阴极；

基区，设置在所述磷区上；

硼区，设置在所述基区上，为所述快恢复芯片的阳极；

其中，在所述硼区远离所述基区的一面形成有抛光面，所述快恢复芯片包括铂原子，所述铂原子均匀分布所述磷区、基区和硼区内。

9.一种快恢复芯片的制造设备，其特征在于，包括：

多个不同的扩散装置，分别实现硅片的磷扩散、硼扩散以及铂扩散；

抛光装置，用于将进行硼扩散后的硅片进行抛光；

其中，所述快恢复芯片的制造设备使用所述权利要求1至7任意一项所述的快恢复芯片的制造方法以制得所述快恢复芯片。