[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：测试结构和保护结构，所述测试结构和所述保护结构位于切割道内；其中，

所述保护结构包括多个接触，所述接触为内部填充有金属材料的接触孔；

所述多个接触分布在多个同心环上以包围所述测试结构；所述接触的深度大于所述测试结构的深度；

所述测试结构包括：金属互连层、以及位于所述金属互连层下方并与其电连接的导电接触。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属互连层包括金属连线、金属插塞和金属衬垫。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电接触为内部填充有导电材料的接触孔。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述保护结构与所述测试结构之间的距离为400nm-1000nm。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述多个同心环中的各个相邻两个同心环之间的距离相等。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述测试结构和所述保护结构形成于介质层中，其中，所述接触贯穿所述介质层。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述测试结构为晶圆允收测试结构、或者电迁移测试结构、或者应力迁移测试结构。

8.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在半导体衬底上形成介质层；

在所述介质层内形成测试结构；

在所述测试结构的周围形成保护结构，所述保护结构包括多个接触，所述接触为内部填充有金属材料的接触孔；所述多个接触分布在多个同心环上以包围所述测试结构；所述接触的深度大于所述测试结构的深度；

其中，所述测试结构和所述保护结构位于切割道内；所述测试结构包括：金属互连层、以及位于所述金属互连层下方且电连接的导电接触。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述在所述介质层内形成测试结构，包括：

通过第一工序在所述介质层内形成导电接触；以及，

通过第二工序在所述导电接触的上端形成金属互连层；

其中，所述导电接触和所述金属互连层构成测试结构。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述半导体结构为三维存储器；

所述第一工序为形成所述三维存储器的芯片区的沟道局部接触的工序；

所述第二工序为形成所述三维存储器的芯片区的金属互连层的工序。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述半导体结构为三维存储器；所述在所述测试结构的周围形成保护结构，包括：

通过第三工序在所述测试结构的周围形成保护结构；

其中，所述第三工序为形成所述三维存储器的芯片区的外围电路接触的工序。