[发明专利]显示面板及显示装置有效
申请号: | 202110349121.7 | 申请日: | 2021-03-31 |
公开(公告)号: | CN113097278B | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 蔡雨 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 张育英 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板的阳极;
位于所述阳极背向所述衬底基板一侧的像素定义层,所述像素定义层具有第一开口,所述阳极在所述衬底基板上的正投影与所述第一开口交叠;
位于所述阳极背向所述衬底基板一侧、且位于所述第一开口内的发光层;
位于所述像素定义层和所述发光层背向所述衬底基板一侧的阴极;
位于所述阴极背向所述衬底基板一侧的光提取层,所述光提取层包括同层设置的提取结构和多个外延结构;
其中,所述提取结构在所述衬底基板上的正投影与所述像素定义层在所述衬底基板上的正投影交叠,所述外延结构与所述提取结构连通设置,且所述外延结构沿着远离所述提取结构的方向延伸,所述外延结构朝向所述衬底基板的下表面与所述提取结构朝向所述衬底基板的下表面平齐,所述外延结构在所述衬底基板上的正投影与所述第一开口的部分区域交叠,所述外延结构覆盖所述第一开口的边缘区域,暴露所述第一开口的中间区域;
并且,所述外延结构在垂直于所述衬底基板所在平面方向上的膜厚小于所述提取结构在垂直于所述衬底基板所在平面方向上的膜厚;
所述显示面板还包括第一绝缘层,所述第一绝缘层位于所述光提取层朝向所述衬底基板的一侧,所述第一绝缘层具有多个第二开口,所述外延结构的部分凹陷在所述第二开口内。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
彩膜层,所述彩膜层位于所述阴极与所述光提取层之间,所述彩膜层包括色阻,所述色阻在所述衬底基板上的正投影与所述发光层在所述衬底基板上的正投影交叠,所述色阻在所述衬底基板上的正投影还与所述提取结构和所述外延结构在所述衬底基板上的正投影交叠。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述外延结构为沿所述第一开口的边缘环绕一圈的封闭结构。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
各所述外延结构包括多个子外延结构,多个所述子外延结构沿着所述第一开口的边缘排列。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,
多个所述子外延结构等间距排列。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述外延结构在外延方向上的长度和与其交叠的所述第一开口在该外延方向上的长度正相关,所述外延方向为所述外延结构背向所述提取结构的延伸方向。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述外延结构在外延方向上的长度和与其交叠的所述第一开口的面积正相关,所述外延方向为所述外延结构背向所述提取结构的延伸方向。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第二开口为不贯穿所述第一绝缘层的凹槽。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述外延结构在垂直于所述衬底基板所在平面方向上的膜厚为d1,所述提取结构在垂直于所述衬底基板所在平面方向上的膜厚为d2,
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述外延结构在垂直于所述衬底基板所在平面方向上的膜厚为d1,d1≤1μm。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
沿外延方向,所述外延结构在垂直于所述衬底基板所在平面方向上的膜厚逐渐减小,所述外延方向为所述外延结构远离所述提取结构的延伸方向。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,
沿所述外延方向,所述外延结构在垂直于所述衬底基板所在平面方向上的膜厚呈线性减小。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉天马微电子有限公司,未经武汉天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110349121.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的