[发明专利]一种耦合封装结构及耦合方法

说明书

本申请公开了一种耦合封装结构及耦合方法，其中，所述耦合封装结构的第二待封装元件的待耦合结构突出于所述第二待封装元件的保护层，且所述耦合方式为将第二待封装元件以倒装的方式与所述第一待封装元件封装，从而使得所述第一波导与所述待耦合结构的侧面紧密接触，避免了从第一波导与所述待耦合结构之间由于存在较大距离而导致的较大耦合损耗。

技术领域

本申请涉及芯片技术领域，更具体地说，涉及一种耦合封装结构及耦合方法。

背景技术

光子集成(Photonic Integrated Circuit，PIC)芯片是指使用光子集成技术制成的芯片，也可称为光芯片。光子集成技术能够与现有的半导体CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，互补金属氧化物半导体)标准技术兼容，可与微电子集成电路集成，因此，集成光学芯片成为研究热点，在通讯、传感、计算、量子、生物等领域有广泛的应用。

光芯片与光纤阵列(Fiber Array，FA)或其他光芯片耦合的方式分为端面耦合和光栅垂直耦合。其中，光栅垂直耦合更适用于芯片快速测试，而端面耦合更偏向于做封装产品。因此趋向于商业化的集成光学芯片多采用端面耦合方式。

但在目前的耦合封装结构中，光纤阵列与光芯片耦合或光芯片与光芯片耦合时，会导致较高的耦合损耗。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请提供了一种耦合封装结构及耦合方法，以解决耦合封装结构在耦合封装时会导致较高的耦合损耗的问题。

为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：

一种耦合封装结构，包括：

第一待封装元件，所述第一待封装元件包括第一光芯片、位于所述第一光芯片中的第一波导，所述第一待封装元件还包括第一耦合端面和切割端面，在所述第一耦合端面一侧，所述第一波导的侧面与所述第一耦合端面齐平，所述切割端面突出所述第一耦合端面；

第二待封装元件，所述第二待封装元件包括位于第二封装元件底部的衬底、位于所述衬底一侧的待耦合结构以及第一保护层，所述第一保护层位于所述第二待封装元件的顶部且包裹所述待耦合结构，所述待耦合结构突出所述第一保护层设置；

所述第二待封装元件以倒装方式与所述第一待封装元件封装，以使所述第一波导与所述待耦合结构的侧面接触。

可选的，还包括：

载体；

所述第一待封装元件和所述第二待封装元件均设置于所述载体的同一侧。

可选的，还包括：

位于所述载体与所述第一保护层之间的高度调节层；

所述高度调节层用于配合所述第一保护层将所述待耦合结构与所述第一波导设置在同一表面内。

可选的，所述高度调节层的材料包括环氧树脂。

可选的，所述载体包括印制电路板或陶瓷板。

可选的，所述第二待封装元件包括光纤阵列；

所述衬底包括：位于第二待封装元件底部的衬底；

所述第一保护层包括：位于第二待封装元件顶部的包层；

所述待耦合结构包括：多根光纤，所述多根光纤被所述第一保护层包裹；

所述待耦合结构的一端突出所述第一保护层设置。

可选的，所述切割端面突出所述第一耦合端面的距离小于所述光纤的一端突出所述光纤阵列包层的距离。