[发明专利]高效率绝缘隔离SiCMOSFET栅驱动电路

权利要求书

1.高效率绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路，其特征是，包括：输入信号接收电路(1)、数字控制电路(2)、调制发送电路(5)、隔离电路(9)、高共模瞬态抑制差分信号接收电路(6)、输出驱动电路(7)、发送端低压产生电路(3)、接收端低压产生电路(8)和芯片状态监测电路(4)，其中，输入信号接收电路(1)、数字控制电路(2)、调制发送电路(5)、发送端低压产生电路(3)和芯片状态监测电路(4)构成发送端电路，高共模瞬态抑制差分信号接收电路(6)、输出驱动电路(7)和接收端低压产生电路(8)构成接收端电路；发送端电路内部所有电路的地电位均连接到发送端地电压Vgnd1，接收端电路内部所有电路的地电位均连接到接收端地电压Vgnd2；所述发送端低压产生电路(3)和接收端低压产生电路(8)采用相同的低压产生电路实现；发送端低压产生电路(3)采用发送端电源电压VCC，产生用于发送端电路内部各组成电路所需要的参考电压和偏置电压；接收端低压产生电路(8)采用接收端电源电压VDD，产生用于接收端电路内部各组成电路所需要的参考电压和偏置电压；所述隔离电路(9)包括正端发送电容Ctp、负端发送电容Ctn、正端接收电容Crp和负端接收电容Crn；

所述输入信号接收电路(1)接收外部的低电平逻辑输入数据DI，DI经处理转换为高电平为VCC的输入数据Din，输出给数字控制电路(2)；数字控制电路(2)根据芯片状态监测电路(4)提供的欠压保护信号UVLO、过温保护信号OTP、过流保护信号OCP的状态将输入数据Din处理成一组差分输入数据DxP和DxN；差分输入数据DxP和DxN进入调制发送电路(5)，得到差分发送数据TxP和TxN；差分发送数据TxP和TxN分别连接到正端发送电容Ctp和负端发送电容Ctn的左端；所述正端发送电容Ctp和负端发送电容Ctn的右端，分别连接到正端接收电容Crp和负端接收电容Crn的左端；所述正端接收电容Crp和负端接收电容Crn的右端分别输出差分接收数据RxP和RxN进入高共模瞬态抑制差分信号接收电路(6)，经处理得到接收输出数据Dout；接收输出数据Dout最后进入输出驱动电路(7)，产生具有大驱动电流的输出驱动信号DG；所述正端发送电容Ctp、负端发送电容Ctn、正端接收电容Crp和负端接收电容Crn大小相等，并均为超高耐压隔离电容；

所述输入信号接收电路(1)包括：输入ESD保护电路(101)、正端电平判别电路(103)、负端电平判别电路(104)、RS触发器电路(105)和判别电平产生电路(102)；其中，输入ESD保护电路(101)的输入端连接外部低电平逻辑输入数据DI，输入ESD保护电路(101)的输出DVin同时连接到正端电平判别电路(103)和负端电平判别电路(104)的信号输入端，正端电平判别电路(103)的正端参考电平连接到判别电平产生电路(102)的正端参考电平输出口Vrp，负端电平判别电路(104)的负端参考电平连接到判别电平产生电路(102)的负端参考电平输出口Vrn；正端电平判别电路(103)的电平判别输出口Dinp和负端电平判别电路(104)的电平判别输出口Dinn，分别连接到RS触发器电路(105)的两个信号输入端，RS触发器电路(105)的输出端即为输入信号接收电路(1)的数据输出口；判别电平产生电路(102)根据输入参考电平Vr分别产生正端参考电平Vrp和负端参考电平Vrn。