[发明专利]半导体器件的制备方法

说明书

本发明公开了一种半导体器件的制备方法，包括：提供一衬底，衬底具有损伤层；至少进行1次去除损伤层步骤，以去除损伤层；去除损伤层步骤，包括：于衬底的损伤层处的表面形成金属层；对金属层处进行激光退火处理，以使金属层与损伤层反应生成金属化合物层；去除金属化合物层。解决了现有技术中衬底上具有损伤层的技术问题，实现了提高衬底背面欧姆接触性能和可靠性的技术效果。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件的制备方法。

背景技术

半导体器件一般形成于衬底上，但是由于衬底厚度大，导致其串联电阻大，限制了半导体器件的通流能力，增加了其通态损耗，从而严重影响了半导体器件的性能。对衬底进行减薄处理可以提高半导体器件的性能。但本申请发明人在实现本申请实施例中发明技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题：对衬底进行减薄处理会导致衬底上具有损伤层，影响衬底背面欧姆接触性能和可靠性。

发明内容

本申请实施例通过提供一种半导体器件的制备方法，解决了现有技术中衬底上具有损伤层的技术问题，实现了提高衬底背面欧姆接触性能和可靠性的技术效果。

本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底具有损伤层；至少进行1次去除损伤层步骤，以去除所述损伤层；所述去除损伤层步骤，包括：于所述衬底的所述损伤层处的表面形成金属层；对所述金属层处进行激光退火处理，以使所述金属层与所述损伤层反应生成金属化合物层；去除所述金属化合物层。

本申请通过本申请的一实施例提供如下技术方案：所述衬底包括碳化硅衬底，所述金属化合物层包括金属硅化物层。

本申请通过本申请的一实施例提供如下技术方案：所述金属层包括钛层、镍层、铝层、铜层、金层、银层、钼层、钨层、铁层、铬层中的一种或几种组合，厚度介于0.001um～50um之间。

本申请通过本申请的一实施例提供如下技术方案：于气体氛围中对所述金属层处进行激光退火处理，所述气体包括氮气或氩气。

本申请通过本申请的一实施例提供如下技术方案：所述气体的流量介于10^-3sccm～10⁵sccm之间。

本申请通过本申请的一实施例提供如下技术方案：所述激光退火处理的激光波长介于10nm～10000nm之间，激光脉宽介于0ns～10⁹ns之间，激光能量密度介于0.01J/cm²～10⁵J/cm²之间，退火处理时间介于10^-2min～10⁵min之间。

本申请通过本申请的一实施例提供如下技术方案：采用湿法腐蚀工艺去除所述金属化合物层，所述湿法腐蚀工艺采用的化学溶液包括氢氟酸、发烟硝酸、硝酸、浓硫酸、盐酸、磷酸中的一种或几种组合。

本申请通过本申请的一实施例提供如下技术方案：提供一衬底，还包括：对所述衬底进行减薄处理，所述减薄处理使所述衬底具有所述损伤层。

本申请通过本申请的一实施例提供如下技术方案：所述减薄处理采用的工艺包括研削、研磨和抛光中的一种或几种组合。

本申请通过本申请的一实施例提供如下技术方案：对所述衬底进行所述减薄处理之前还包括：于所述衬底的上表面形成正面器件结构。

本申请通过本申请的一实施例提供如下技术方案：在对所述金属层处进行激光退火处理之后去除所述金属化合物层之前，还包括：于所述正面器件结构上形成保护层，所述保护层包括光刻胶，厚度介于0.001μm～100μm之间。

本申请通过本申请的一实施例提供如下技术方案：于所述衬底的上表面形成正面器件结构包括：于所述衬底的上表面形成外延层，于所述外延层的上表面形成正面器件结构。