[发明专利]一种锆锡钛系微波介质陶瓷材料及其制备方法在审
申请号: | 202110350088.X | 申请日: | 2021-03-31 |
公开(公告)号: | CN113429204A | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 黄庆焕;司峰;王斌华;王学民;管超 | 申请(专利权)人: | 摩比天线技术(深圳)有限公司;摩比科技(深圳)有限公司;摩比通讯技术(吉安)有限公司;摩比科技(西安)有限公司;深圳市晟煜智慧网络科技有限公司;西安摩比天线技术工程有限公司 |
主分类号: | C04B35/49 | 分类号: | C04B35/49;C04B35/622;C04B35/64 |
代理公司: | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人: | 鲍竹 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 锆锡钛系 微波 介质 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种锆锡钛系微波介质陶瓷材料,其特征在于,由基料、改性添加剂及降烧剂制得;
所述基料的化学通式为(ZrxSn1-x)TiO4,其中,0.6≤x≤1;
所述改性添加剂为Nb2O5、MnO2、La2O3、CeO2、Nd2O3、Sm2O3、Al2O3及SiO2中的至少一种;
所述降烧剂为ZnO和CuO中的至少一种。
2.如权利要求1所述的锆锡钛系微波介质陶瓷材料,其特征在于,所述基料、改性添加剂及降烧剂的质量比为:(90~98):(0.1~8):(0.1~2)。
3.如权利要求2所述的锆锡钛系微波介质陶瓷材料,其特征在于,所述降烧剂中各组分占基料的质量分数分别为:ZnO为0~2wt%,CuO为0.01~2wt%。
4.如权利要求3所述的锆锡钛系微波介质陶瓷材料,其特征在于,所述改性添加剂中各组分占基料的质量分数分别为:Nb2O5为0.01~2wt%、MnO2为0.01~1wt%、La2O3为0~2wt%、CeO2为0~2wt%、Nd2O3为0~2wt%、Sm2O3为0~2wt%、Al2O3为0.01~5wt%、SiO2为0.01~1wt%。
5.如权利要求1所述的锆锡钛系微波介质陶瓷材料,其特征在于,所述锆锡钛系微波介质陶瓷材料的介电常数εr为35-45,品质因数Q×f值为40000~65000GHz,谐振频率温度系数τf为±10ppm/℃,抗弯强度大于等于230MPa。
6.一种制备权利要求1-5所述的锆锡钛系微波介质陶瓷材料的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将原料ZrO2、SnO2及TiO2按照基料化学式的摩尔比进行称重配料,制得混合料;
(2)将制得的所述混合料与钇稳定锆球、去离子水按预设质量比球磨混合均匀,对球磨后制得的浆料进行烘干,过筛网,制得混合物;
(3)将制得的所述混合物放置于高温箱式炉中在1100~1300℃下预烧4~6小时,制得预烧粉体;
(4)将改性添加剂、降烧剂及制得的所述预烧粉体混合放置于球磨罐中球磨,加入粘接剂进行造粒,制得造粒粉;
(5)将制得的所述造粒粉干压成型,在1100~1400℃下烧结1~6小时,冷却获得所述锆锡钛系微波介质陶瓷材料。
7.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述步骤(2)中的球磨采用球磨机进行,所述球磨机为行星式球磨机。
8.如权利要求5所述的方法,其特征在于,步骤(2)中所述混合料、钇稳定锆球及去离子水按质量比为1:5:1~3添加。
9.如权利要求5所述的方法,其特征在于,步骤(2)中所述粘接剂为聚乙烯醇。
10.如权利要求5所述的方法,其特征在于,步骤(2)中所述球磨的时间为4~6小时,对球磨后制得的浆料进行烘干的温度为80~110℃,烘干时间为12~24小时。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于摩比天线技术(深圳)有限公司;摩比科技(深圳)有限公司;摩比通讯技术(吉安)有限公司;摩比科技(西安)有限公司;深圳市晟煜智慧网络科技有限公司;西安摩比天线技术工程有限公司,未经摩比天线技术(深圳)有限公司;摩比科技(深圳)有限公司;摩比通讯技术(吉安)有限公司;摩比科技(西安)有限公司;深圳市晟煜智慧网络科技有限公司;西安摩比天线技术工程有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110350088.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。