[发明专利]一种膜层生长设备及方法

说明书

本申请提供一种膜层生长设备及方法，包括：反应腔室和控制器，反应腔室内具有基台、可移动的挡板和机械结构；基台用于对放置于基台上的待处理衬底进行加热；控制器用于控制挡板移动至基台的上方覆盖基台，以阻止反应腔室内的反应气体在基台上表面成膜，预设时长后控制挡板远离基台，之后控制机械结构将待处理衬底放置在基台上，并控制基台进行加热。本申请实施例中的挡板，能够在机台上未放置待处理衬底时，覆盖基台，防止反应气体在基台上表面成膜，不会出现由于反应气体在基台表面上成膜影响机台对待处理衬底加热时的传热，进而导致的成膜速率下降的问题。

技术领域

本发明涉及半导体器件制造领域，特别涉及一种膜层生长设备及方法。

背景技术

在制备半导体器件的过程中，可以利用膜层生长设备形成半导体器件的某一层薄膜。膜层生长设备具有反应腔室，反应腔室内具有基台，基台上可以放置待处理衬底。在进行膜层生长时，首先向反应腔室内通入反应气体，设定反应腔室内的反应条件，例如反应气体通入速率、基台温度等，待腔室内的反应条件都趋于稳定之后，即向反应腔内开始通入反应气体经过一段时间之后，在基台上放置待处理衬底，以便利用反应气体在待处理衬底上进行生长成膜。

但是膜层生长设备在使用一段时间之后，其膜层生长速率逐渐下降，非常不利于半导体器件的制备，增大了生产成本。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于解决膜层生长设备在使用一段时间之后，其膜层生长速率逐渐下降的问题。

一种膜层生长设备，包括：反应腔室和控制器，所述反应腔室内具有基台、可移动的挡板和机械结构；

所述基台用于对放置于所述基台上的待处理衬底进行加热；

所述控制器用于控制所述挡板移动至所述基台的上方覆盖所述基台，以阻止所述反应腔室内的反应气体在所述基台上表面成膜，预设时长后控制所述挡板远离所述基台，之后控制所述机械结构将所述待处理衬底放置在所述基台上，并控制所述基台进行加热。

可选的，所述反应腔室还包括：移动装置；所述移动装置用于移动所述挡板以覆盖所述基台，所述控制器还用于控制所述移动装置。

可选的，所述控制器还用于控制所述基台进行下降和/或所述挡板进行上升，以便所述基台上表面的高度低于所述挡板。

可选的，所述挡板可拆卸地固定于所述反应腔室内，以便对所述挡板进行清洗或更换。

可选的，所述挡板包括多个子挡板，所述多个子挡板用于进行拼凑形成完整的所述挡板，以覆盖所述基台。

可选的，所述挡板上还设置有传感器，所述传感器用于测量所述挡板上生长的膜层的厚度。

可选的，所述反应腔室的腔室壁内设置有接收器，所述接收器用于根据所述传感器发送的信号的强弱判断所述挡板上生长的膜层的厚度是否大于所述厚度阈值，当所述膜层的厚度大于所述厚度阈值时，发出警报信号。

可选的，所述反应气体的通入口位于所述基台上方并与所述基台上表面相对。

一种膜层生长方法，应用于上述膜层生长设备，包括：

向反应腔室内通入反应气体；

控制挡板覆盖基台，以阻止所述反应腔室内的反应气体在所述基台上表面成膜；

控制所述挡板在预设时间后远离所述基台；

在所述基台上放置待处理衬底进行加热，并在所述待处理衬底上生长膜层。

可选的，所述膜层为粘合层，所述粘合层的材料为氮化钛。