[发明专利]一种基于CMOS实现的Ka频段低噪声放大器

权利要求书

1.一种基于CMOS实现的Ka频段低噪声放大器，其特征在于，由补偿型场效应晶体管M2组成的放大级；电感L1、电感L2以及电感L3通过电磁耦合形成的无源器件变压器P1组成的匹配级；电流源Ibias和晶体管M0组成的给共源晶体管M1提供栅极电压的电流偏置级以及由二极管D0、二极管D1与二极管D2组成静电保护级构成；静电保护级用于提供正向和负向的电荷泄放通路；

节点N1分别与晶体管M0的栅漏端、电流源Ibias的一端、二极管D0正极、二极管D2负极、电感L2的正端相连接，晶体管MO的源端接地，二极管D2的正极接地；二极管D0负极连接二极管D1正极，二极管D1的负极接地，射频输入端口RFIN通过电感L1和L2分别连接到晶体管M1的栅端与节点N1，晶体管M1的源端通过电感L3连接到地，晶体管M1的漏端与补偿型场效晶体管M2的源端连接，补偿型场效晶体管M2的栅端和漏端分别连接到电 流源Ibias的另一端和负载阻抗ZL的一端，负载阻抗ZL的另一端与电流源Ibias的另一端连接；射频输出端口RFOUT与补偿型场效晶体管M2的漏端连接。