[发明专利]一种抑制介质材料二次电子发射系数的方法在审
| 申请号： | 202110350644.3 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113072393A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 向锋;洪小飞;顾腾;刘潇帅;董亦鹏 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C04B41/80 | 分类号： | C04B41/80;C04B35/10;C04B35/462;C04B35/465;C04B35/50;G01N23/2202;G01N23/2251;G01N27/04;G01N27/22 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 介质 材料 二次电子 发射 系数 方法 | ||
1.一种抑制介质材料二次电子发射系数的方法，其特征在于，对介质材料进行辐照，以降低介质材料二次电子发射系数，辐照剂量小于等于2.09MGy。
2.根据权利要求1所述的一种抑制介质材料二次电子发射系数的方法，其特征在于，包括以下步骤：
将介质材料置于23±2℃和50±5％RH环境下至少24小时；
对介质材料进行辐照，直至辐照总剂量达到设定的辐照剂量。
3.根据权利要求2所述的一种抑制介质材料二次电子发射系数的方法，其特征在于，介质材料平均辐射剂量率为3KGy/h，日均辐照时间为10h。
4.根据权利要求2所述的一种抑制介质材料二次电子发射系数的方法，其特征在于，对介质材料进行辐照时，放射源和介质材料之间的距离为30cm。
5.根据权利要求2所述的一种抑制介质材料二次电子发射系数的方法，其特征在于，若介质材料在湿空气中暴露时间超过30分钟，则将介质材料烘干后，再将介质材料置于23±2℃和50±5％RH环境下。
6.根据权利要求5所述的一种抑制介质材料二次电子发射系数的方法，其特征在于，烘干介质材料的过程为：在105+5℃/-2℃的空气循环烘箱中烘干。
7.根据权利要求6所述的一种抑制介质材料二次电子发射系数的方法，其特征在于，烘干时间为2小时。
8.根据权利要求1或2所述的一种抑制介质材料二次电子发射系数的方法，其特征在于，利用γ射线对介质材料进行辐照。
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