[发明专利]二维钙钛矿单晶及其基于离子注入的探测器的制备方法有效
申请号: | 202110350953.0 | 申请日: | 2021-03-31 |
公开(公告)号: | CN113299837B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 冯宏剑;钱崇鑫;王明梓;芦珊珊 | 申请(专利权)人: | 西北大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46;C30B7/08;C30B7/14;C30B29/54;C09K11/06;C09K11/66 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 宁文涛 |
地址: | 710048 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 二维 钙钛矿单晶 及其 基于 离子 注入 探测器 制备 方法 | ||
1.二维钙钛矿单晶及其基于离子注入的探测器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1,称取PMAI和PbO粉末原料,溶于HI和H3PO2的混合溶剂中,得到前驱体溶液;
步骤2,将步骤1中混合的前驱体溶液密封,加热溶解,使其达到充分的溶解平衡后,得到浅黄色前驱体完全饱和溶液;
步骤3,将前躯体完全饱和溶液置于和步骤2中溶解前驱体溶液同样温度的恒温炉,保温一段时间后,将溶液进行升温,再逐渐降温,直至析出橘黄色的单晶后,继续降温至室温,得到初步的(PMA)2PbI4二维钙钛矿单晶;
步骤4,将单晶晶体取出,多次清洗后烘干,得到干燥的(PMA)2PbI4二维钙钛矿单晶;
步骤5,将步骤4获得到橘黄色二维钙钛矿单晶,用精细砂纸对晶体表面抛光处理,使表面光亮;
步骤6.在抛光处理后的单晶表面进行Cu元素的高能离子注入,优化单晶材料表面成分和性能,提高单晶本征载流子浓度,从而实现一种纯净的物理掺杂和优化;
步骤7.在步骤6中离子注入的钙钛矿单晶表面蒸镀叉指金电极,得到离子注入改性的钙钛矿单晶光探测器。
2.根据权利要求1所述的二维钙钛矿单晶及其基于离子注入的探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤2中,前驱体溶液加热溶解的过程具体为,先加热到80-95℃,保持10-40分钟。
3.根据权利要求1所述的二维钙钛矿单晶及其基于离子注入的探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤3中,保温时间具体为30分钟,升温温度达到120℃后,然后以2℃/h-0.2℃/h的速度逐渐降温。
4.根据权利要求1所述的二维钙钛矿单晶及其基于离子注入的探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤4中,清洗过程采用乙醚或氯苯。
5.根据权利要求1所述的二维钙钛矿单晶及其基于离子注入的探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤5中,精细砂纸具体为8000目和10000目。
6.根据权利要求1所述的二维钙钛矿单晶及其基于离子注入的探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤6中,Cu元素的高能离子注入过程中,注入能量为2MeV,剂量为5*1012ions/cm2。
7.根据权利要求1所述的二维钙钛矿单晶及其基于离子注入的探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤7中,叉指金电极的厚度为80nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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