[发明专利]二维钙钛矿单晶及其基于离子注入的探测器的制备方法有效

专利信息
申请号: 202110350953.0 申请日: 2021-03-31
公开(公告)号: CN113299837B 公开(公告)日: 2022-10-21
发明(设计)人: 冯宏剑;钱崇鑫;王明梓;芦珊珊 申请(专利权)人: 西北大学
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46;C30B7/08;C30B7/14;C30B29/54;C09K11/06;C09K11/66
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 宁文涛
地址: 710048 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 二维 钙钛矿单晶 及其 基于 离子 注入 探测器 制备 方法
【权利要求书】:

1.二维钙钛矿单晶及其基于离子注入的探测器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤1,称取PMAI和PbO粉末原料,溶于HI和H3PO2的混合溶剂中,得到前驱体溶液;

步骤2,将步骤1中混合的前驱体溶液密封,加热溶解,使其达到充分的溶解平衡后,得到浅黄色前驱体完全饱和溶液;

步骤3,将前躯体完全饱和溶液置于和步骤2中溶解前驱体溶液同样温度的恒温炉,保温一段时间后,将溶液进行升温,再逐渐降温,直至析出橘黄色的单晶后,继续降温至室温,得到初步的(PMA)2PbI4二维钙钛矿单晶;

步骤4,将单晶晶体取出,多次清洗后烘干,得到干燥的(PMA)2PbI4二维钙钛矿单晶;

步骤5,将步骤4获得到橘黄色二维钙钛矿单晶,用精细砂纸对晶体表面抛光处理,使表面光亮;

步骤6.在抛光处理后的单晶表面进行Cu元素的高能离子注入,优化单晶材料表面成分和性能,提高单晶本征载流子浓度,从而实现一种纯净的物理掺杂和优化;

步骤7.在步骤6中离子注入的钙钛矿单晶表面蒸镀叉指金电极,得到离子注入改性的钙钛矿单晶光探测器。

2.根据权利要求1所述的二维钙钛矿单晶及其基于离子注入的探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤2中,前驱体溶液加热溶解的过程具体为,先加热到80-95℃,保持10-40分钟。

3.根据权利要求1所述的二维钙钛矿单晶及其基于离子注入的探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤3中,保温时间具体为30分钟,升温温度达到120℃后,然后以2℃/h-0.2℃/h的速度逐渐降温。

4.根据权利要求1所述的二维钙钛矿单晶及其基于离子注入的探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤4中,清洗过程采用乙醚或氯苯。

5.根据权利要求1所述的二维钙钛矿单晶及其基于离子注入的探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤5中,精细砂纸具体为8000目和10000目。

6.根据权利要求1所述的二维钙钛矿单晶及其基于离子注入的探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤6中,Cu元素的高能离子注入过程中,注入能量为2MeV,剂量为5*1012ions/cm2

7.根据权利要求1所述的二维钙钛矿单晶及其基于离子注入的探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤7中,叉指金电极的厚度为80nm。

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