[发明专利]闪存器的数据读取方法及装置、存储设备有效
申请号: | 202110351844.0 | 申请日: | 2018-11-05 |
公开(公告)号: | CN113035256B | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 陈子龙;曹华敏;付祥;高帅;姜柯;向斌;安阳;王瑜;王颀 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/34 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 张李静;张颖玲 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 闪存 数据 读取 方法 装置 存储 设备 | ||
1.一种闪存器的数据读取方法,其特征在于,包括:
当确定前一次数据读取操作中在位于读取阶段之后的第二干扰抑制阶段向闪存器选择的字线施加第二子电压时,在当前数据读取操作中的干扰抑制阶段,向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压;
在读取阶段,向所述闪存器选择的字线施加用于读取数据的第二电压;
所述在当前数据读取操作中的干扰抑制阶段,向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压,包括:
在当前数据读取操作中的位于所述读取阶段之前的第一干扰抑制阶段,向所述闪存器选择的字线施加第一子电压;所述第一电压包括所述第一子电压;
所述第一子电压高于所述第二电压;所述第二子电压高于所述第二电压。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
在所述第一干扰抑制阶段,通过降压使得所述第一子电压均匀下降至所述第二电压。
3.一种闪存器的数据读取方法,其特征在于,包括:
当确定前一次数据读取操作中在位于读取阶段之前的第一干扰抑制阶段向闪存器选择的字线施加第一子电压时,在当前数据读取操作中的干扰抑制阶段,向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压;
在读取阶段,向所述闪存器选择的字线施加用于读取数据的第二电压;
所述在当前数据读取操作中的干扰抑制阶段,向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压,包括:
在当前数据读取操作中的位于所述读取阶段之后的第二干扰抑制阶段,向所述闪存器选择的字线施加第二子电压;所述第一电压包括所述第二子电压;
所述第一子电压高于所述第二电压;所述第二子电压高于所述第二电压。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,
在所述第二干扰抑制阶段,通过升压使得所述第二电压均匀上升至所述第二子电压。
5.一种闪存器的数据读取方法,其特征在于,包括:
在干扰抑制阶段,向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压;
在读取阶段,向所述闪存器选择的字线施加用于读取数据的第二电压;
所述在干扰抑制阶段,向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压,包括:
在位于所述读取阶段之前的第一干扰抑制阶段,向所述闪存器选择的字线施加第一子电压;在位于所述读取阶段之后的第二干扰抑制阶段,向所述闪存器选择的字线施加第二子电压;所述第一电压包括所述第一子电压和所述第二子电压;
所述第一子电压和所述第二子电压均高于所述第二电压;所述第一子电压和所述第二子电压不相等。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,
在所述第一干扰抑制阶段,通过降压使得所述第一子电压均匀下降至所述第二电压;在所述第二干扰抑制阶段,通过升压使得所述第二电压均匀上升至所述第二子电压。
7.根据权利要求1至6任一项所述的方法,其特征在于,
所述干扰抑制阶段的时长与所述读取阶段的时长比值为1:N;N的值大于1。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,
所述时长比值N的取值区间为:1.5至6。
9.根据权利要求5至6任一项所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
从第一模式和第二模式中选择目标读取模式;
所述在干扰抑制阶段,向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压,包括:
若所述目标读取模式为所述第一模式,在读取周期的干扰抑制阶段,向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,
所述从第一模式和第二模式中选择目标读取模式,包括:
根据所述闪存器的状况参数,从所述第一模式和所述第二模式中选择目标读取模式。
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