[发明专利]一种具有二次谐波抑制的宽带差分射频功率放大器有效
申请号: | 202110352426.3 | 申请日: | 2021-03-31 |
公开(公告)号: | CN113037223B | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 梁钊铭;章国豪;孙博 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | H03F1/02 | 分类号: | H03F1/02;H03F3/189 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杨小红 |
地址: | 510060 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 二次 谐波 抑制 宽带 射频 功率放大器 | ||
1.一种具有二次谐波抑制的宽带差分射频功率放大器,其特征在于,包括宽带输入巴伦、驱动放大器、T型匹配网络、输出放大器、抑制谐波匹配网络和宽带输出巴伦;
所述宽带输入巴伦,用于将单端信号转换为差分信号输出,得到输出信号;
所述驱动放大器,与所述宽带输入巴伦的输出端连接并用于对所述输出信号进行放大;
所述T型匹配网络,设置在所述驱动放大器与所述输出放大器之间并用于给所述驱动放大器与所述输出放大器连接之间匹配阻抗;
所述输出放大器,与所述T型匹配网络连接并用于输出放大后的输出信号;
所述抑制谐波匹配网络,与所述输出放大器连接并用于抑制输出信号的二次谐波;
所述宽带输出巴伦,与所述抑制谐波匹配网络连接并用于将抑制后的输出信号转换为新单端信号输出;
所述输出放大器包括第一输出放大器和第二输出放大器,所述第一输出放大器包括第三半导体元件和第四半导体元件,所述第二输出放大器包括第五半导体元件和第六半导体元件;所述第四半导体元件的第一端与所述T型匹配网络的第一高通匹配网络输出端连接,所述第五半导体元件的第一端与所述T型匹配网络的第二高通匹配网络输出端连接,所述第三半导体元件的第三端与所述第四半导体元件的第二端连接,所述第三半导体元件的第一端与所述第六半导体元件的第一端连接,所述第三半导体元件的第三端作为所述第一输出放大器的输出端,所述第五半导体元件的第三端与所述第六半导体元件的第二端连接,所述第六半导体元件的第三端作为所述第二输出放大器的输出端。
2.根据权利要求1所述的具有二次谐波抑制的宽带差分射频功率放大器,其特征在于,所述宽带输入巴伦包括高通滤波器和与所述高通滤波器并联的低通滤波器,所述高通滤波器与所述低通滤波器并联形成三个连接端口的异相功率分配器,三个所述连接端口分别为输入连接端口、第一差分输出连接端口和第二差分输出连接端口。
3.根据权利要求2所述的具有二次谐波抑制的宽带差分射频功率放大器,其特征在于,所述高通滤波器和所述低通滤波器均为LCπ型网络或LC T型网络。
4.根据权利要求1所述的具有二次谐波抑制的宽带差分射频功率放大器,其特征在于,所述驱动放大器包括第一半导体元件和与所述第一半导体元件并联连接的第二半导体元件,所述第一半导体元件的第一端与所述宽带输入巴伦的第一差分输出连接端口连接,所述第二半导体元件的第一端与所述宽带输入巴伦的第二差分输出连接端口连接。
5.根据权利要求1所述的具有二次谐波抑制的宽带差分射频功率放大器,其特征在于,所述T型匹配网络包括第一高通匹配网络和第二高通匹配网络,所述第一高通匹配网络包括第七电容、第五电感和第八电容,所述第二高通匹配网络包括第九电容、第五电感和第十电容;所述第一高通匹配网络与所述驱动放大器的第一半导体元件第二端连接,所述第二高通匹配网络与所述驱动放大器的第二半导体元件第二端连接;所述第七电容的第一端与所述第一半导体元件的第二端连接,所述第七电容的第二端分别与所述第五电感的第一端和所述第八电容的第一端连接,所述第八电容的第二端与所述输出放大器连接;所述第九电容的第一端与所述第二半导体元件的第二端连接,所述第九电容的第二端分别与所述第五电感的第二端和所述第十电容的第一端连接,所述第十电容的第二端与所述输出放大器连接。
6.根据权利要求1所述的具有二次谐波抑制的宽带差分射频功率放大器,其特征在于,所述第三半导体元件的第一端与所述第六半导体元件的第一端连接之间还并联有第一LC串联谐振网络。
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