[发明专利]微型发光二极管芯片、显示基板及其制造方法、显示装置在审
申请号: | 202110353512.6 | 申请日: | 2021-03-31 |
公开(公告)号: | CN113097243A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 韵夏伟;陈振彰;黄文杰;高博;钱学海;金美灵;孙文佳;刘小舟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/50;H01L25/16;G09F9/33 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张琛 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 发光二极管 芯片 显示 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种微型发光二极管芯片,其特征在于,所述微型发光二极管芯片包括:
基底,所述基底包括相对设置的第一侧和第二侧;
设置在所述基底的第一侧的第一接触部和多个第二接触部;以及
设置在所述基底的第一侧的多个微型发光二极管,所述多个微型发光二极管位于所述第一接触部和所述第二接触部远离所述基底的一侧,所述微型发光二极管包括第一电极和第二电极,
其中,所述多个微型发光二极管间隔设置,所述多个微型发光二极管以及所述多个微型发光二极管彼此之间的间隔的组合在所述基底上的正投影落入所述基底内;以及
所述多个微型发光二极管的第一电极均与所述第一接触部电连接,所述多个微型发光二极管的第二电极分别与所述多个第二接触部电连接。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片,其特征在于,所述微型发光二极管芯片还包括设置在所述基底的第二侧的第一端子和第二端子,所述第一端子接入第一电压信号,所述第二端子接入第二电压信号。
3.根据权利要求1或2所述的微型发光二极管芯片,其特征在于,所述微型发光二极管芯片还包括设置在所述基底的第一侧的测试端子,所述测试端子接入用于实施发光测试的测试信号。
4.根据权利要求3所述的微型发光二极管芯片,其特征在于,所述微型发光二极管芯片还包括设置在所述基底的第二侧的第三端子和第四端子,所述第三端子和所述第四端子分别接入不同的电信号;以及
所述第二端子和所述第四端子中的至少一个在所述基底上的正投影与所述测试端子在所述基底上的正投影至少部分重叠。
5.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片,其特征在于,所述多个微型发光二极管发出的光的颜色彼此不同。
6.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片,其特征在于,所述多个微型发光二极管发出的光的颜色相同。
7.根据权利要求6所述的微型发光二极管芯片,其特征在于,至少一个微型发光二极管包括设置在所述基底的第一侧的光转换层,用于将第一波长范围的光转换为第二波长范围的光,其中,所述第一波长范围不同于所述第二波长范围。
8.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片,其特征在于,所述微型发光二极管芯片还包括挡墙,所述挡墙设置在所述多个微型发光二极管彼此之间的间隔中。
9.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括:
衬底基板;和
设置在所述衬底基板上的微型发光二极管芯片,
其中,所述微型发光二极管芯片为根据权利要求1-8中任一项所述的微型发光二极管芯片。
10.根据权利要求9所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括设置在所述衬底基板上的驱动电路,所述微型发光二极管芯片的第一端子、第二端子和第三端子分别与所述驱动电路电连接,所述基底的第二侧面向所述衬底基板,所述基底的第一侧远离所述衬底基板。
11.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括根据权利要求9或10所述的显示基板。
12.一种显示基板的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:
提供基底,所述基底包括相对设置的第一侧和第二侧;
在所述基底的第一侧形成第一接触部和多个第二接触部;以及
通过第一转移工艺将多个微型发光二极管转移至所述基底上,使得所述多个微型发光二极管位于所述第一接触部和所述第二接触部远离所述基底的一侧,其中,所述微型发光二极管包括第一电极和第二电极,
其中,所述多个微型发光二极管间隔设置,所述多个微型发光二极管以及所述多个微型发光二极管彼此之间的间隔的组合在所述基底上的正投影落入所述基底内;以及
所述多个微型发光二极管的第一电极均与所述第一接触部电连接,所述多个微型发光二极管的第二电极分别与所述多个第二接触部电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的