[发明专利]一种hBN/BAlN异质结紫外探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110354075.X | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113193069B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 李强;张浩然;张启凡;白云鹤;云峰 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李鹏威 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 hbn baln 异质结 紫外 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种hBN/BAlN异质结紫外探测器，其特征在于，包括：
BAlN薄膜层；
hBN薄膜层，形成于所述BAlN薄膜的表面上，且覆盖部分BAlN薄膜；
两个电极，分别形成于BAlN薄膜和hBN薄膜表面上；
所述hBN/BAlN异质结紫外探测器具有自供电的特性；
所述hBN薄膜和BAlN薄膜的厚度均为40-100nm。
2.根据权利要求1所述的hBN/BAlN异质结紫外探测器，其特征在于，所述两个电极为Ni/Al/Ti/Au退火形成的合金电极；其中，Ni层厚度为1nm，Al层厚度为25nm，Ti层厚度为25nm，Au层厚度为25nm。
3.根据权利要求2所述的hBN/BAlN异质结紫外探测器，其特征在于，所述退火具体为：在400℃氧气中退火3min。
4.根据权利要求1所述的hBN/BAlN异质结紫外探测器，其特征在于，所述两个电极均为直径2 mm圆柱形电极。
5.根据权利要求1所述的hBN/BAlN异质结紫外探测器，其特征在于，hBN薄膜层覆盖BAlN薄膜一半的面积。
6.根据权利要求1所述的hBN/BAlN异质结紫外探测器，其特征在于，所述hBN/BAlN异质结紫外探测器还包括柔性衬底；
所述BAlN薄膜层位于所述柔性衬底上。
7.权利要求1至6中任一项所述的一种hBN/BAlN异质结紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将洁净的生长衬底送入溅射腔室内溅射一层BAlN薄膜；
遮挡部分BAlN薄膜，在未遮挡的BAlN薄膜上溅射一层hBN薄膜层，获得hBN/BAlN双层薄膜；
hBN/BAlN双层薄膜整体剥离，并转移至柔性衬底；
在BAlN薄膜和hBN薄膜表面各蒸镀一个电极。
8.根据权利要求7所述一种hBN/BAlN异质结紫外探测器的制备方法，其特征在于，hBN/BAlN双层薄膜整体剥离，并转移至柔性衬底的步骤具体包括：
将溅射完hBN薄膜层后获得的生长衬底转移至0.5mol/L的KOH溶液中，通过碱性溶液浸泡后，实现BAlN/hBN双层薄膜的整体剥离，再将剥离下的薄膜转移到柔性衬底上，然后烘干，完成hBN/BAlN双层薄膜的整体转移。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110354075.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
