[发明专利]使用自组装核酸形成纳米结构的方法及其纳米结构在审
申请号: | 202110354365.4 | 申请日: | 2016-03-11 |
公开(公告)号: | CN112967926A | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 斯科特·E·西里斯;古尔特杰·S·桑胡 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L29/06;B82Y10/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 组装 核酸 形成 纳米 结构 方法 及其 | ||
1.一种形成纳米结构的方法,所述方法包括:
图案化衬底以形成包括一个或多个区域的图案化衬底,所述一个或多个区域中的每一个经调适以吸附特定核酸结构,并且所述一个或多个区域经配置以显示以下中的一个或多个:
对所述特定核酸结构的拓扑特异性;或
对所述特定核酸结构的拓扑特异性和化学特异性;
将所述图案化衬底与包含所述特定核酸结构的核酸结构接触;以及
将所述特定核酸结构选择性地吸附到所述图案化衬底的相应一个或多个区域,以在所述图案化衬底上形成核酸结构的定向自组装,显示出定向控制及顺序控制中的一个或多个。
2.根据权利要求1所述的方法,其中图案化衬底以形成图案化衬底包括图案化所述衬底以包括一个或多个区域,所述一个或多个区域在尺寸或形态中的一个或多个上对应于所述特定核酸结构的尺寸或形态中的一个或多个。
3.根据权利要求1所述的方法,其中在所述图案化衬底上形成核酸结构的定向自组装包括形成包括次光刻开口的所述定向自组装。
4.根据权利要求1所述的方法,其中在所述图案化衬底上形成核酸结构的定向自组装包括形成包括次光刻特征的所述定向自组装。
5.根据权利要求4所述的方法,其中在所述图案化衬底上形成包括次光刻特征的所述定向自组装包括形成所述次光刻特征的周期性图案。
6.根据权利要求4所述的方法,其中在所述图案化衬底上形成包括次光刻特征的所述定向自组装包括形成所述次光刻特征的不规则形状。
7.根据权利要求4所述的方法,进一步包括将所述次光刻特征转印到所述图案化衬底。
8.根据权利要求1所述的方法,其中将所述特定核酸结构选择性地吸附到所述图案化衬底的所述相应一个或多个区域包括将特定脱氧核糖核酸结构选择性地吸附到所述相应的一个或多个区域。
9.根据权利要求1所述的方法,其中将所述特定核酸结构选择性地吸附到所述图案化衬底的所述相应一个或多个区域包括将特定核糖核酸结构选择性地吸附到所述相应一个或多个区域。
10.根据权利要求1所述的方法,其中将所述特定核酸结构选择性地吸附到所述图案化衬底的所述相应一个或多个区域以在所述图案化衬底上形成核酸结构的定向自组装包括使用定向控制及顺序控制选择性地吸附所述特定核酸结构以形成包括各向异性核酸结构的核酸结构的所述定向自组装。
11.根据权利要求1所述的方法,其中将所述特定核酸结构选择性地吸附到所述图案化衬底的所述相应一个或多个区域以在所述图案化衬底上形成核酸结构的定向自组装包括形成包括各向同性核酸结构的所述定向自组装。
12.根据权利要求1所述的方法,其中图案化衬底以形成包括一个或多个区域的图案化衬底包括形成经调适以吸附相同特定核酸结构的所述一个或多个区域。
13.根据权利要求1所述的方法,其中图案化衬底以形成包括一个或多个区域的图案化衬底包括形成经调适以吸附不同特定核酸结构的所述一个或多个区域。
14.一种纳米结构,其包括:
图案化衬底上的核酸结构的定向自组装,所述图案化衬底包括区域以及选择性吸附到所述图案化衬底的所述区域中的每一个的核酸结构的所述定向自组装的特定核酸结构,所述区域中的每一个在大小或形态中的一个或多个上对应于所述特定核酸结构的大小或形态中的一个或多个。
15.根据权利要求14所述的纳米结构,其中所述区域中的每一个经制定以显示对所述特定核酸结构的拓扑特异性。
16.根据权利要求14所述的纳米结构,其中所述区域中的每一个经制定以显示对所述特定核酸结构的拓扑特异性和化学特异性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造