[发明专利]VO2

权利要求书

1.一种光敏半导体材料VO₂陶瓷，其特征在于：采用微米级粒径的VO₂粉剂，在保护气氛中400℃烧结制备获得；

制备方法如下：

1）将市售VO₂粉剂研磨至微米级粒径，然后加入VO₂质量六分之一的甲胺碘（MAI），通过研磨混合均匀；

2）将步骤1）中制备的混合粉末以7MPa的压强压片；

3）将步骤2）中的VO₂片放入通氩气的管式炉中，以6.7℃/min的速率升温至400℃，在400℃烧结5小时，然后以不大于3.4℃/min的速率降温至室温，获得VO₂陶瓷片。

2.一种高响应度的VO₂陶瓷红外弱光探测器，其特征在于：

采用根据权利要求1所述的VO₂陶瓷作为光敏半导体，采用金属银制作阴阳电极；

探测10mW的980nm红外光时，实现安培级的高光电流，实现不低于10A/W级的高响应度。

3.根据权利要求2所述的高响应度的VO₂陶瓷红外弱光探测器的电压调控方法，其特征在于：

驱动电压小于临界值时响应度较低；

驱动电压高于临界值时，信号光照射下探测器由高阻态变为低阻态，电流大幅增大，获得高响应度；

通过减小驱动电压至临界值之下，使探测器从低阻态恢复至高阻态；

所述临界值由实验确定。