[发明专利]铜电镀方法在审
| 申请号： | 202110354858.8 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113113352A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 杨钰;赵正元;李虎 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电镀 方法 | ||
1.一种铜电镀方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上依次形成有层间介质层和硬掩模层，所述硬掩模层和所述层间介质层内形成有沟槽；
刻蚀部分所述硬掩模层以增大所述沟槽的顶部宽度；以及，
进行电化学镀工艺，在所述沟槽内形成铜互连层。
2.如权利要求1所述的铜电镀方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述硬掩模层。
3.如权利要求2所述的铜电镀方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀剂包括氢氟酸溶液和过氧化氢溶液。
4.如权利要求2所述的铜电镀方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述硬掩模层以增大所述沟槽的顶部宽度后，所述硬掩模层的厚度变化量为
5.如权利要求1所述的铜电镀方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺形成所述沟槽，且进行湿法清洗以去除所述干法刻蚀过程中产生的聚合物。
6.如权利要求5所述的铜电镀方法，其特征在于，所述湿法清洗的清洗液包括氢氟酸溶液。
7.如权利要求6所述的铜电镀方法，其特征在于，在所述清洗液中加入过氧化氢溶液，以在去除所述聚合物的同时刻蚀部分所述硬掩模层。
8.如权利要求1所述的铜电镀方法，其特征在于，所述硬掩模层的材料包括氮化钛。
9.如权利要求1所述的铜电镀方法，其特征在于，所述硬掩模层和所述层间介质层之间还设置有介电抗反射层，所述衬底和所述层间介质层之间还设置有刻蚀停止层。
10.如权利要求7所述的铜电镀方法，其特征在于，所述介电抗反射层为无氮介电抗反射层。
11.如权利要求7所述的铜电镀方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料包括氮化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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