[发明专利]离子源、等离子体室以及调整等离子体的体积的方法

权利要求书

1.一种设备，其特征在于，包括：

室，具有第一端壁与第二端壁；

射频天线，邻近所述室，所述射频天线被配置成向所述室提供射频能量；以及

端板，设置在所述室内，所述端板在第一位置与第二位置之间被致动，以调整所述室的体积，所述端板包括：

第一区段，设置在所述室内，所述第一区段延伸到所述室的侧壁；以及

第二区段，耦合到所述第一区段，所述第二区段延伸出所述室外。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括耦合到所述端板的电压源。

3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述端板包括用于将气体递送到所述室中的一组内部流体通道。

4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括穿过所述室的第一端壁形成的出口开孔，所述出口开孔沿所述室的纵向轴线设置。

5.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括真空馈通件，所述真空馈通件将所述端板的所述第二区段耦合到所述室的第二端壁。

6.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述室的所述侧壁包括射频窗口，其中所述射频天线邻近所述射频窗口设置。

7.一种产生等离子体的等离子体室，其特征在于，所述等离子体室包括：

壳体，包括用于从所述等离子体室递送离子束的出口开孔；

射频天线，邻近所述等离子体，所述射频天线能够相对于所述壳体致动；以及

端板，设置在所述等离子体室内，所述端板能够致动，以调整在所述等离子体室内的所述等离子体的体积，所述端板包括：

第一区段，设置在所述等离子体室内，所述第一区段延伸到所述等离子体室的侧壁；以及

第二区段，耦合到所述第一区段，所述第二区段延伸出所述等离子体室外。

8.根据权利要求7所述的等离子体室，其特征在于，所述端板电耦合到电压源。

9.根据权利要求7所述的等离子体室，其特征在于，所述射频天线沿所述等离子体室的所述壳体的侧壁的外表面设置。

10.根据权利要求7所述的等离子体室，其特征在于，所述射频天线设置在所述端板内。

11.根据权利要求7所述的等离子体室，其特征在于，所述端板包括用于将气体引入到所述等离子体室的一组流体通道。

12.一种调整等离子体室内的等离子体的体积的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供在等离子体室内的等离子体，所述等离子体室包括第一端壁与第二端壁；

将射频天线邻近所述等离子体定位，所述射频天线能够在所述第一端壁与所述第二端壁之间致动；以及

在所述等离子体室内提供端板，所述端板能够在第一位置与第二位置之间致动，以调整所述等离子体的体积，所述端板包括：

第一区段，设置在所述等离子体室内，所述第一区段延伸到所述等离子体室的侧壁；以及

第二区段，耦合到所述第一区段，所述第二区段延伸出所述等离子体室外。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，还包括：对所述端板施加电压。

14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，还包括：将所述端板及所述射频天线朝所述第二端壁致动，以增大所述等离子体的密度，所述第二端壁包括用于从所述等离子体室递送离子束的出口开孔。