[发明专利]静电保护电路及芯片的静电保护网络有效
| 申请号： | 202110356364.3 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN112968437B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 孙豳;李新;应战 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱颖;臧建明 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 保护 电路 芯片 网络 | ||
1.一种静电保护电路，其特征在于，包括：
监测单元，用于监测由静电电荷引起的静电脉冲；
第一泄放晶体管，用于在监测到所述静电脉冲后导通，以泄放所述静电电荷；
第二泄放晶体管，用于在监测到所述静电脉冲后导通，以泄放所述静电电荷；
其中，所述第一泄放晶体管的导通时刻早于所述第二泄放晶体管的导通时刻，且所述第一泄放晶体管的尺寸小于所述第二泄放晶体管的尺寸。
2.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，还包括：
驱动单元，其输入端与所述第一泄放晶体管的控制端连接，其输出端与所述第二泄放晶体管的控制端连接。
3.根据权利要求2所述的静电保护电路，其特征在于，所述驱动单元包括：
第一反相器，其输入端与所述监测单元的输出端连接，其输入端还与所述第一泄放晶体管的控制端连接，其输出端与所述第二泄放晶体管的控制端连接。
4.根据权利要求3所述的静电保护电路，其特征在于，所述监测单元包括：
监测电阻，其第一端接电源；
监测电容，其第一端与所述监测电阻的第二端连接，其第二端接地。
5.根据权利要求3所述的静电保护电路，其特征在于：
所述第一泄放晶体管为P型晶体管；
所述第二泄放晶体管为N型晶体管。
6.根据权利要求5所述的静电保护电路，其特征在于：
所第一泄放晶体管和所述第一反相器中的P型晶体管位于衬底上的同一N型阱中。
7.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，还包括：
驱动单元，其第一输出端与所述第一泄放晶体管的控制端连接，其第二输出端与所述第二泄放晶体管的控制端连接。
8.根据权利要求7所述的静电保护电路，其特征在于，所述驱动单元包括：
第一反相器，其输入端与所述监测单元的输出端连接，其输出端作为所述驱动单元的第一输出端；
第二反相器，其输入端与所述第一反相器的输出端连接，其输出端作为所述驱动单元的第二输出端。
9.根据权利要求8所述的静电保护电路，其特征在于，所述监测单元包括：
监测电容，其第一端接电源；
监测电阻，其第一端与所述监测电容的第二端连接，其第二端接地。
10.根据权利要求8所述的静电保护电路，其特征在于：
所述第一泄放晶体管为P型晶体管；
所述第二泄放晶体管为N型晶体管。
11.根据权利要求10所述的静电保护电路，其特征在于：
所第一泄放晶体管、所述第一反相器中的P型晶体管、所述第二反相器中的P型晶体管均位于衬底上的同一N型阱中。
12.根据权利要求2所述的静电保护电路，其特征在于，所述驱动单元包括：
第一反相器，其输入端与所述监测单元的输出端连接，其输入端还与所述第一泄放晶体管的控制端连接；
第二反相器，其输入端与所述第一反相器的输出端连接，其输出端与所述第二泄放晶体管的控制端连接。
13.根据权利要求12所述的静电保护电路，其特征在于，所述监测单元包括：
监测电容，其第一端接电源；
监测电阻，其第一端与所述监测电容的第二端连接，其第二端接地。
14.根据权利要求12所述的静电保护电路，其特征在于：
所述第一泄放晶体管为N型晶体管；
所述第二泄放晶体管为N型晶体管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110356364.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
