[发明专利]一种新型的PIN管微观结构有效
| 申请号： | 202110357101.4 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN113130664B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 王志宇;黄威文;陈伟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 赵志鹏 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 pin 微观 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种PIN管微观结构，其特征在于，包括Metal 1层、Metal 2层、阳极引出层AC、阴极引出层CC和PIN管；阳极引出层AC、阴极引出层CC设置在PIN管的两极上，且Metal 1层在阳极引出层AC、阴极引出层CC上方，Metal 2层在Metal 1层上方；其中，Metal 1层与阳极引出层AC或阴极引出层CC之间设置过孔Via 1，Metal 1层与Metal 2层之间设置过孔Via2；
PIN管设置在衬底上；其中，PIN管包括P层、I层、N层，P层、I层、N层依次设置在衬底上，且N层覆盖的面积大于I层覆盖的面积，I层覆盖的面积大于P层覆盖的面积。
2.根据权利要求1所述的一种PIN管微观结构，其特征在于：阴极引出层CC与靠近阳极引出层AC的两者的横向最近距离为1 .5μm。
3.根据权利要求1所述的一种PIN管微观结构，其特征在于：P层整体为长条状，其拐角采用半圆弧状；N层整体呈“ 凹”字形，其拐角采用1/4圆弧状。
4.根据权利要求1所述的一种PIN管微观结构，其特征在于：衬底上不同器件之间采用IS层进行隔离，IS层采用在衬底相应位置注入硼离子。
5.根据权利要求1所述的一种PIN管微观结构，其特征在于：过孔Via 1、过孔Via2、Metal 1层、Metal 2层的拐角处采用半圆弧状或圆弧状。
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