[发明专利]一种基于TSV宽带帯阻滤波器在审
| 申请号： | 202110357208.9 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN113285186A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 王凤娟;侯仓仓;余宁梅;杨媛;朱樟明;尹湘坤 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 燕肇琪 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 tsv 宽带 滤波器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于TSV宽带帯阻滤波器，其特征在于，包括重布线层(3)，所述重布线层(3)的底部连接有硅通孔组件，所述重布线层(3)的两端分别设置有输出端(2)和输入端(1)。
2.如权利要求1所述的一种基于TSV宽带帯阻滤波器，其特征在于，所述重布线层(3)的底部设置有互联建(8)，所述互联建(8)的一端连接重布线层(3)，所述互联建(8)的另一端连接硅通孔组件。
3.如权利要求2所述的一种基于TSV宽带帯阻滤波器，其特征在于，所述硅通孔组件包括硅通孔a(4)、硅通孔b(5)、硅通孔c(6)、硅通孔d(7)，所述硅通孔a(4)、硅通孔b(5)、硅通孔c(6)、硅通孔d(7)的位置均相互对称，所述硅通孔a(4)、硅通孔b(5)、硅通孔c(6)、硅通孔d(7)的结构相同。
4.如权利要求3所述的一种基于TSV宽带帯阻滤波器，其特征在于，所述硅通孔a(4)包括金属芯层(9)，所述金属芯层(9)的外壁设置有介质层(10)，所述硅通孔a(4)、硅通孔b(5)、硅通孔c(6)、硅通孔d(7)均设置在硅材料层(11)上。
5.如权利要求4所述的一种基于TSV宽带帯阻滤波器，其特征在于，所述介质层(10)为二氧化硅材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安理工大学，未经西安理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110357208.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
