[发明专利]双介质调制靶及其制备方法

说明书

本发明提供能够适用于要求仅含有碳和氢两种元素的实验的需求、调制界面结合紧密且调制图形清晰的双介质调制靶及其制备方法。双介质调制靶包括层叠设置的第一介质调制层和第二介质调制层，第一介质调制层由第一介质形成，第二介质调制层由第二介质形成，第一介质和第二介质均仅含有碳和氢两种元素，第一介质调制层的密度与第二介质调制层的密度的比为5:1‑15:1，并且在位于第一介质调制层与第二介质调制层之间的界面处，形成有调制图形。

技术领域

本发明涉及惯性约束聚变(在下文中，称作ICF)领域，特别涉及双介质调制靶及其制备方法。

背景技术

基于ICF研究中流体力学不稳定性实验的需求，已经提出了通过在实验用靶的表面人为地引入调制图形以模拟真实靶丸的表面不均匀性的方案。

近年来，实验用靶已经从一维的单介质调制靶发展到二维的双介质调制靶。对于后者，传统上已经存在一些方案。例如，双介质中的一种介质为碳气凝胶(CRF)或铝(Al)的方案，以及通过单纯的浇注成型制备的溴代聚苯乙烯/聚4-甲基-1-戊烯(Br-PS/PMP)的方案。在这里，表述“单纯的浇注成型”是指双介质调制靶中的每个调制层均是通过浇注成型制备的。

然而，这两种方案均难以满足要求仅含有碳和氢两种元素的实验的需求。例如，即便是CRF，其是通过对含有碳、氢和氧三种元素的有机RF高温碳化制得的，因此在制得的CRF中将不可避免地有氧元素的残留。

特别地，对于第二种方案，在浇注过程中，归因于PMP在成型过程中的结构收缩，制得的双介质调制靶的调制界面容易出现结合不紧密的情况。

发明内容

基于以上情况作出本发明，本发明的目的在于提供能够适用于要求仅含有碳和氢两种元素的实验、调制界面结合紧密且调制图形清晰的双介质调制靶及其制备方法。

根据本发明的第一方面，提供一种双介质调制靶，其包括层叠设置的第一介质调制层和第二介质调制层，第一介质调制层由第一介质形成，第二介质调制层由第二介质形成，第一介质和第二介质均仅含有碳和氢两种元素，第一介质调制层的密度与第二介质调制层的密度的比为5:1-15:1，并且在位于第一介质调制层与第二介质调制层之间的界面处，形成有调制图形。

根据本发明的第二方面，提供一种上述双介质调制靶中的任一双介质调制靶的制备方法，包括如下步骤：第一介质调制层的制备步骤，通过浇注成型使含有第一介质的第一溶液成膜，以得到表面具有调制图形的第一介质调制层；和第二介质调制层的制备步骤，通过热压复合将第二介质层叠到第一介质调制层的具有调整图形的表面，以得到表面具有调制图形的第二介质调制层。

附图说明

图1是示出根据本发明的双介质调制靶的示例性结构示意图。

图2是示出根据本发明的双介质调制靶的制备方法的流程图。

图3是示出根据本发明的双介质调制靶的另一制备方法的流程图。

图4是示出根据本发明的双介质调制靶的再一制备方法的流程图。

图5是示出根据本发明的双介质调制靶的又一制备方法的流程图。

图6是示出根据本发明的实施例1中的双介质调制靶的实物图。

图7是示出根据本发明的实施例2中的双介质调制靶的光学图像。

图8是示出根据本发明的实施例3中的双介质调制靶的光学图像。

图9是示出根据本发明的实施例4中的双介质调制靶的光学图像。

图10是示出根据本发明的实施例5中的双介质调制靶的光学图像。

图11是示出根据本发明的实施例6中的双介质调制靶的光学图像。