[发明专利]混合集成型片上光频梳及其制备方法

权利要求书

1.混合集成型片上光频梳，其特征在于，包括依次相邻的硅基底(1)、二氧化硅衬底(2)和薄膜铌酸锂(3)，薄膜铌酸锂(3)上异质集成一层氮化硅波导；

所述氮化硅波导包括横跨薄膜铌酸锂(3)上表面的氮化硅直波导(5)，以及位于氮化硅直波导(5)一侧的氮化硅微环(6)；

氮化硅微环(6)下方的薄膜铌酸锂为圆周极化薄膜铌酸锂(4)。

2.根据权利要求1所述的混合集成型片上光频梳，其特征在于，所述氮化硅直波导(5)与氮化硅微环(6)相邻的波导段呈与氮化硅微环(6)的外环平行的弧形。

3.如权利要求1或2所述的混合集成型片上光频梳制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在硅基底上生长一层二氧化硅衬底，然后在二氧化硅衬底表面通过晶片键合切割得到薄膜铌酸锂，并对得到的基片进行清洗；

S2、在薄膜铌酸锂上溅射铬阻挡层，在铬阻挡层上旋涂光刻胶，经过标准光刻工艺制备表面圆周极化电极；

S3、施加电压，进行薄膜铌酸锂的圆周极化；

S4、完成薄膜铌酸锂的圆周极化后，通过湿法刻蚀去除圆周极化电极和铬阻挡层；

S5、通过化学气相沉积在薄膜铌酸锂上沉积一层氮化硅薄膜，然后在氮化硅薄膜上溅射一层铬；

S6、旋涂光刻胶，通过标准光刻工艺制备氮化硅波导图案；

S7、通过电子束刻蚀对光波导进行构图，制备氮化硅直波导与氮化硅微环，氮化硅微环部分与圆周极化薄膜铌酸锂部分对应；

S8、去除氮化硅波导表面的光刻胶和铬并进行清洗，完成器件制备。